大功率可控硅触发电压（可控硅触发电压过高会坏吗）

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可控硅导通后门极电压多少伏

V。主要关心的是电流（触发电流），一般20A以下的小功率可控硅，在触发极（G）和阴极（K）之间加5V左右电压（G+，K-），串联200Ω电阻限流就可以。可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。

一般把可控硅控制极的触发电压叫做门极电压。规格不同的可控硅其门极电压也不相同。一般在5V左右，功率小的电流也小。

a可控硅的触发电压一般在0.5V左右。110a可控硅的触发电压一般在0.5V左右是因为在正常工作状态下，可控硅的阳极电压会随着控制极（即门极）的电压变化而变化。当控制极的电压超过一定阈值时，可控硅就会被触发，从而导通。

你电路只要大于5V电压即可，资料上是5V，但是实际的以我经验判断是0.8V左右，。VGD是控制极不触发电压，就是在高温下，VGT会变小，所以可能发生有些电路低电平太高，导致可控硅不能关断，所以VGD=0.2V，是需要你不工作时T1与G电压差低于这个值，保证电路在任何环境下正常工作。

若可控硅处于良好状态，万用表应显示正向导通的电压值，通常在0.6V至0.8V之间，表明可控硅在正常工作状态下能正常导通。如果万用表显示开路或反向导通，则可能表示可控硅存在故障或已损坏。为了更全面地测试BT151可控硅的性能，还可以测试其触发电压。

可控硅的控制端电压一般是多少V的?我想用单片机控制能行的通吗?_百度...

单片机可以控制单向可控硅，对于小功率单向可控硅，控制极电流只要几毫安，电压3到5伏（1伏左右就可开通，注意不要误 触发），单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅，触发电流几十毫安，要加功率放大才行。

不可以，需要加光隔如MOC30电路相对复杂。

最好是把220V变压到20-30V左右，再用可控硅控制。见图，单片机检测交流电的过零点，控制可控硅的导通角即可。

单片机控制220V电路 可在单片机控制输出端接三极管、可控硅或者有一定输出电流的组件4013集成电路，输出端接220V继电器的线圈即可，用继电器的常开常闭触点控制电器。

原理很简单，用可控硅的调光台灯电路到处都有，把上边电位器那一部分换成单片机的一个输出端，使用单片机输出PWM信号，即可得到不同的控制电压，以控制可控硅的导通情况。复杂一点的需要做闭环系统，也就是通过ADC输入后，形成一个闭环的电压监测，依据此值来控制输出，使输出电压与预设的电压一致。

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这个元器件不是三极管，而是ST公司的可控硅 1200V， 16A，管脚排列看下图。

单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。

TYN1225是单向晶闸管，额定值25A1200V，ak两端的电压是由控制极导通角来决定的，与ⅤG电压大小无关。

可以用万用表测量，单向可控硅测量好坏方法如下：用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。

大功率可控硅(20A)已上的实用检测方法?

用短接线将AG极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。

检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节5V干电池，以提高触发电压。晶闸管（可控硅）的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。

然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。

如果是金属封装的，螺丝部分是+极，另一端正对的是-极，侧面的是控制极；不管是什么样的单向可控硅，用万用表测：任意两个脚必然有一次的阻值小，那么此时黑表笔接的是控制极（G）红笔接的是阴极-，剩下的是+极。

所以通过测量总电流的方法可以判断IC的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降，用欧姆定律计算出总电流值。 以上检测方法，各有利弊，在实际应用中最好将各种方法结合起来，灵活运用。如何借助万用表检测可控硅 单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。

可控硅触发电路的触发方式有哪些

1、可控硅的3种触发方式：强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。 采用触发二极管电路与这种结构相似。

2、触发可控硅（SCR）的常见方法包括门触发、直流门触发、dv/dt触发、温度触发、光触发、正向电压触发、直流栅极触发、交流触发、脉冲触发、电阻触发和RC触发。每种触发方式各有特点，适用于不同场景。门触发是最常见的触发方式，适用于大多数应用，其设计简单、可靠且高效。

3、直流门触发是一种通过直流电压控制可控硅导通的触发方式，其原理与门触发类似，但使用直流电压进行控制。dv/dt触发利用阳极到阴极电压的上升速率，当电压上升速率超过特定设备限制时，可控硅在没有栅极电流的情况下导通。此触发方式适用于特定情况，但可能导致错误的开启过程和对可控硅的损害。

4、过零触发是一种在调功应用中常见的技术。其原理是当正弦交流电电压相位达到零点时触发可控硅导通。这个触发点是唯一的，确保在电压达到最大值前可控硅即开始导通，从而实现精准控制。非过零触发技术则更为灵活。