半导体导通电压（半导体电流电压）
本文目录一览：
- 1、在半导体中导通电压与开启电压有啥区别
- 2、半导体二极管的导通电压是多少
- 3、NPN型和PNP型三级管的导通条件是什么???
- 4、如何判断三极管的导通状态?
- 5、半导体二极管(硅管)的导通电压是多少
在半导体中导通电压与开启电压有啥区别
在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。
开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。
就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
硅半导体PN结的伏安特性曲线是一条类似于I=U*U（向下稍有平移）的二次曲线（如图），它的初始导通电压其实并不到0.7V，0.7V是充分导通状态了，通常工作在放大状态下的三极管的基极电流很小，发射结达不到充分导通状态，当发射结进入充分导通状态时，三极管可能进入饱和状态了。
半导体二极管的导通电压是多少
1、半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。
2、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。
3、Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
4、锗二极管的导通压降在0.15-0.2V，硅二极管的导通压降在0.5-0.7V，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3V。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。
NPN型和PNP型三级管的导通条件是什么???
导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
对于NPN型三极管，一般的处于放大区的条件是Uc大于Ub大于Ue，并且Ub和Ue之间的电压差要大于发射结的初始导通电压即可导通；对于PNP型三极管，情况正好相反，处于放大区的条件是Uc小于Ub小于Ue，Ub和Ue之间的电压差同样要大于发射结的初始导通电压即可导通。
集电极与基极间正向偏置：同时确保集电极与基极之间的电压也为正，且大于一定的电压阈值。当这些条件满足时，NPN三极管就会处于导通状态。PNP三极管：基极与发射极间负向偏置：使得基极与发射极之间的电压为负，并且小于一定的电压阈值（通常约为-0.7V）。
PNP型三极管的导通条件是E点电位B点电位C点电位，三极管饱和导通的条件是UeUb，UcUb。NPN型三极管：定义：NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。
不一样的，NPN要求基极比发射极高0.3V已上才会导通，集电极的电位高于基极。PNP则是发射极电位最高，基极要比发射极低0.3V才会导通。上面说的0.3V是锗管的理论值，硅管则为0.7V左右。实际值可能更低。
三极管根据类型可以分为NPN型和PNP型。对于NPN型三极管而言，当基极BE之间的电压超过0.7V时，三极管开始导通。相对地，PNP型三极管的导通条件则相反，其发射极和基极之间的电压需小于0.7V。而场效应管（MOS管）的导通条件也类似，但其分类更为多样，包括JFET、MOSFET等类型。
如何判断三极管的导通状态?
Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。
截止状态：当发射结电压小于PN结的导通电压时，三极管失去放大作用，基极和集电极电流均为零，集电极与发射极之间如同开关关闭，即处于截止状态。
一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。三极管处于开关状态，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。
如果你描述的场景中，一个导通的三极管（假设为NPN型）的发射极连接到另一个三极管的集电极，而这个第二个三极管是截止的，那么会发生以下情况：导通的三极管（NPN型）：如果基极-发射极间电压超过门槛电压，那么它就处于导通状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
半导体二极管(硅管)的导通电压是多少
半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。
正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。
硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。 锗管：锗二极管的导通电压较低，一般在0.2-0.3伏特之间。
二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压。0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。
