vds电压（VDS电压突变原因）

本文目录一览：

• 1、视频光端机的vds是否需加负电压?
• 2、什么是漏源电压、栅源电压
• 3、反激电源Ⅷ:反射电压
• 4、正激式变换器中漏极电压(VDS)最大多少?
• 5、测量sicmosfet的漏极电压vds又什么用?
• 6、mos管vds电压怎么计算

视频光端机的vds是否需加负电压?

1、管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采内用负电压，可以增容加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。在视频监控设备日益增多的今天，VGS在监控系统中的应用，必然更加有利于帮助用户快速掌控前端设备运行情况，轻松运维大型视频监控系统。

什么是漏源电压、栅源电压

在半导体器件中，漏源电压（Vds）指的是漏极和源极两端的电压差。这种电压直接影响到器件的导电性能和电流流过的情况。栅源电压（Vgs）则是指栅极与源极之间的电压，它是决定栅极对沟道控制的关键因素。在晶体管结构中，栅极（Gate，简称G）是位于绝缘层上的导电层，其作用是通过改变电场来控制电流。

漏源电压：漏极和源极两端的电压。栅源电压：栅极和源极两端的电压。栅极（Gate——G，也叫做门极），源极（Source——S）， 漏极（Drain——D）将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。

漏源电压（VDSS）：此参数确保MOS管在正常工作条件下不会因电流过大而损坏，起到了一道安全屏障的作用。 栅源电压（VGS）：保护栅极氧化层，防止过电压损坏，确保栅极控制的精确性。 连续漏电流（ID）：电路性能的直接指标，受结温限制，对散热设计有重要影响。

栅源电压是指MOS管栅极和源极之间的电压差，当栅源电压加倍时，MOS管的电流会增加，这是因为栅源电压越高，MOS管的导通越好，电流就会更大，同时栅源电压还会影响MOS管的阈值电压，即使电流增加，MOS管的阈值电压也可能会发生变化。

漏源电压是指场效应管漏极与源极之间的电压范围，它决定了场效应管在正常工作时的电压范围。栅源电压是指场效应管栅极与源极之间的电压，它控制着场效应管的导通与截止。功耗是指场效应管在工作时消耗的功率，它反映了场效应管的能耗特性。

漏源电压：漏极和源极两端的电压。 栅源电压：栅极和源极两端的电压。

反激电源Ⅷ:反射电压

1、反激电源中的反射电压在电源工作时起着关键作用。当MOS管关断后，在DCM工作条件下，Vds电压变化展现出特定模式。此模式中，Vds等于Vin（输入电压）加上Vor（反射电压），形成电压的中段位置特点。MOS管导通时，初级绕组电流增加，形成磁通量并在磁芯内产生感应电动势，主要为上正下负。

2、反电压有多种解释，以反射电压（英文名：reflected voltage）为例，是指指反激开关电源中，当开关管断开时 变压器中储存的能量没有被次级（副边）及时吸收，此时会返回到初级（原边），会导致开关电源效率低，开关管容易击穿。

3、反激变换器在连续电流模式，占空比的计算公式为：D=VOR/（VIN-VDS）+VOR）VOR为反射电压（假设为100V），VIN为输入直流电压。VDS为开关管压降（假设为5V）。注意计算最大占空比时VIN要按输入脉动直流的波谷电压计算，假设85VAC时对应VIN为60VDC。

4、有两个因素决定反射电压：最低输入电压和最大占空比。Vor= Vinmin*Dmax/（1-Dmax）其中最低输入电压是你的任务书中要求的，你无法更改。最大占空比是你自己设定的。通常在0.45~0.7之间设定。注意超过0.5就必须加斜波补偿。有了这两项带入上面的公式你的反射电压就可以计算了。

正激式变换器中漏极电压(VDS)最大多少?

对于双端正激电路，因为电路结构的箝位设计，VDS理论上的就是等于输入电压，最大占空比不能大于0.5。

MOS管栅极最高电压：以一个工作于直流线电压为160V（最大可为186V ）电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断，它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来，由Crss和Ciss分压。

IR1176适用于输出电压在5V以下的大电流DC／DC变换器中的同步整流器，能大大简化并改善宽带网服务器中隔离式DC／DC变换器的设计。IR1176配上IRF7822型功率MOSFET，可提高变换器的效率。当输入电压为＋48V，输出为＋8V、40A时，DC／DC变换器的效率可达86％，输出为5V时的效率仍可达到85％。

截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。

测量sicmosfet的漏极电压vds又什么用?

1、SiC MOSFET的最大漏-源极电压（VDSS）定义了器件允许的最大电压值。实际应用中，漏极电压（VDS）必须低于此额定值，否则可能导致器件失效。在功率回路中，由于回路中杂散电感的存在，在器件开关过程中，电流的变化（di/dt）会在这些杂散电感上感应出电压，叠加在SiC MOSFET的漏-源极电压上，形成电压尖峰。

2、Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。

3、描述MOSFET性能的输出曲线以VGS为参考，显示漏极电流ID与漏源电压VDS的关系；转移曲线则以VDS为参考，表示漏极电流ID与栅源电压VGS的关联。Vdss为漏源击穿电压，表示正常工作时能承受的最大电压；Vgss为栅源击穿电压，表示在Vds为0时能承受的最大电压。

4、数据表第一项（Maximum ratings ，最大额定值）第一个参数（Drain-source voltage，VDSS，漏源电压），测试条件：结温25℃；其值1200V；每家均有；其含义为漏源额定电压最大值为1200V。

5、电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。需要注意的是VDS与温度有关，因此应考虑器件的温度系数。此外，最高VDS还应考虑直流电压加上可能存在的电压尖峰和纹波。

6、判断mosfet类型及电压极性的规律：利用内部寄生二极管可测试。将栅极电荷放净，用通断档（二极管档）测量漏极和源极，红笔接漏极，黑笔接源极，若导通（示数600左右），则为P沟道，否则为N沟道。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

mos管vds电压怎么计算

1、初级绕组感应电压（反射电压）Vor总是与次级绕组感应电压方向相反，原因是它们的同名端相反。电感感应电压公式为V=匝数×磁通量变化率，初级绕组与次级绕组磁通量相同，磁通量变化率一致，因此反射电压的数值大小仅与匝数相关。输入电压与反射电压方向一致，它们叠加形成MOS的DS两端电压。

2、UGD=UGS-UDS，这是定义，没有什么好说的。第三个式子是从第二个推导出来的。整个公式其实是从实验获得，你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。

3、区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。

4、Bulk电容电压+N*Vo+Vspike Bulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于414*Vin N为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。