导通电压开启电压（达到电压导通）

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二极管开启电压和导通电压有何区别

开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。就其伏安特性曲线来说 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

似乎没有太大的区别，但也不完全一样。我的理解：开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。

二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。

对于不同的材料，导通电压会有所不同。硅材料二极管的导通电压大约在0.5至0.7伏之间，而锗材料二极管的导通电压则在0.1至0.3伏之间。在导通电压之下，到零伏之间的电压区间，被称为“开启电压”，也就是“死区电压”。这一电压区间内，二极管几乎不导电。

开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。

不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

什么是开启电压、导通电压?

开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。伏安特性曲线 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

在导通电压之下，到零伏之间的电压区间，被称为“开启电压”，也就是“死区电压”。这一电压区间内，二极管几乎不导电。当我们给二极管施加反向电压时，二极管会进入反向偏置状态。在一定范围内，反向电流保持稳定，仿佛电流已经饱和，这种电流就被称为“反向饱和电流”。

施加基极电压使晶体管跃过模拟特性三角处，使晶体管全部导通的基极电压，叫做导通电压。

开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。

二极管的开启电压和正向导通电压有什么区别

1、开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。就其伏安特性曲线来说 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

2、开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。

3、二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。

4、似乎没有太大的区别，但也不完全一样。我的理解：开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。

5、一旦正向电压超过一个特定阈值，二极管开始导通，这时的电压称为“导通电压”。进一步增加电压，电流会迅速增大。对于不同的材料，导通电压会有所不同。硅材料二极管的导通电压大约在0.5至0.7伏之间，而锗材料二极管的导通电压则在0.1至0.3伏之间。

6、不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

在模拟电子技术中,开启电压和导通电压有什么区别?

开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。就其伏安特性曲线来说 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。

应该是关于PN结的，死区电压（开启电压）指结正向电流由几乎为零转而开始明显增大那一点的结电压，此时正向电流仍不大，还不能满足电路应用；导通压降是PN结正向电流较大，工作于伏安特性几乎为直线区域时的结压降，此时正向电流变化时结压降基本不变。导通压降开启电压。

似乎没有太大的区别，但也不完全一样。我的理解：开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。

开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。

硅的死区电压和导通电压分别是多少V

硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。

硅二极管的死区电压通常为0.5伏，这是指二极管从截止状态转换到导通状态所需的最小正向电压。当二极管的正向电压达到0.7伏时，二极管开始导通，此时的电压被称为导通压降。相比之下，锗二极管的死区电压较低，一般为0.1伏。这意味着锗二极管在较低的正向电压下就能从截止状态转变为导通状态。

Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V，导通电压为0.6-0.7V，反向饱和电流一般是uA这个数量级。