导通电压和门槛电压（导通电压和门槛电压怎么算）
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什么是门坎电压
1、门槛电压是指二极管刚好导通时两端的电压差。由通态特性的近似直线与电压轴的交点所得出的电压值。注：装置的门槛电压可根据每臂串联数和联结型式计算而得。
2、门槛电压是指二极管刚好导通时两端的电压差。
3、液位计门槛电压是指液位计在测量液位时，传感器所需的最小电压值。其作用是确保传感器能够实时准确地测量液体的液位，在门槛电压以下传感器将无法工作且无法正确地输出信号，超过门槛电压后传感器则能正常工作并输出准确的信号。液位计门槛电压是设定在传感器的信号输出范围之外，并且具有一定的误差范围。
4、死区电压，也被称为门槛电压或开启电压，是二极管开始导通前必须克服的电压。对于硅材料制成的二极管，这个电压大约是0.5V。当二极管两端的正向电压小于这个值时，二极管基本上不导电，处于截止状态。一旦正向电压超过这个阈值，电流就会开始流动，二极管进入导通状态。
5、Vth（门槛电压/Threshold Voltage）是使MOSFET从截止区转换到导通区所需的最小Vgs值。增强型MOSFET在Vgs大于Vth时开始导电；耗尽型MOSFET减小Vgs到特定点会截止。Vth由MOSFET物理构造和制造工艺决定。Vgs、Vds和Vth共同决定MOSFET的操作状态，包括是否导电、导电时电流量以及工作在特性曲线的哪个部分。
6、在数字电路中，门电路开通或者关断的动作条件是由某一个动作电压所决定的，通常称为‘门槛电压’，高于这个电压值被称为高电平，低于这个值即为低电平。
如何判断二极管是导通还是截止及求输出电压?希望能够说出步骤,谢谢._百...
检查电路中是否有电压差使得二极管可能导通。例如，如果VD1不导通而VD2导通，并且假设二极管为硅管，那么输出电压将是-0.7V（考虑到0.7V的压降）。 如果电路中未加二极管，左右电压分别为-3V和-6V，由于左边的电位高于右边，即使加上二极管，二极管也不会导通。因此，输出电压将是-6V。
二极管截止，Uao = -6V 二极管导通，Uao = -3V（假设二极管为硅管，有0.7V压降）VD1不导通，VD2导通，Uao = -0.7V（假设二极管为硅管，有0.7V压降）假设不加二极管（以o点为0点位点），那么左右的电压分别为-3V和-6V，左边的电位比右边的高，所以加上二极管也不会导通。
首先，我们通过测量二极管的开路电压来判断它们的状态。具体操作是断开所有的二极管，测量它们的开路电压。如果某个二极管的开路电压较大，那么这个二极管就是导通状态。比如，在一个电路中，测量结果显示，第一只二极管D1的开路电压Uak1为6V，而第二只二极管D2的开路电压Uak2为9V，因此D2处于导通状态。
图a中，左边电池使VD导通，右边电池不工作。ID=5-0.7/3K=43mA；图b中，左边电池使VD导通，右边电池不工作。ID=10-0.7/2K=65mA 不知道哪里是输出端，所以输出电压不好求。
题目中的二极管是导通的。先假设二极管是截止的，以0端为参考点，二极管的阳极（正极）电压10V，阴极（负端）8V，阳极电压高于阴极电压，假设不成立，所以二极管是导通的。理想二极管导通后两端电压为0，所以A点电位是8V，输出电压为8V。
请详细说明二极管的管压降和门坎电压的区别!
1、概念不同：二极管道统之前相当于一个电容，这时有门槛电压这个概念。二极管导通之后相当于一个小电阻，这时有管压降这个概念。定义不同：门槛电压：是二极管正向导通的起始电压；导通压降和管压降：二极管正向导通时自身压降；意义不同：管压降是指二极管导通之后，二极管两端的电压差。
2、二极管的压降是0.7V，低于这个电压二极管是不会导通的，高于这个电压，则会导通。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压，小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
3、二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
在半导体中导通电压与开启电压有啥区别
在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。
开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。
就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
硅半导体PN结的伏安特性曲线是一条类似于I=U*U（向下稍有平移）的二次曲线（如图），它的初始导通电压其实并不到0.7V，0.7V是充分导通状态了，通常工作在放大状态下的三极管的基极电流很小，发射结达不到充分导通状态，当发射结进入充分导通状态时，三极管可能进入饱和状态了。
假设D1导通，D2截止，那么1K电阻上面的电压应该为7方向与6方向一样，即Uao的电压为-7这个是不可能的应为最大电压明显只有-9。
