包含三极管基极电压的词条

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求助:三极管的基极工作电压是多少到多少?

硅材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5～0.7V，处于正向偏置。锗材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1～0.3V，处于正向偏置。硅材料或锗材料的三极管工作在截止状态时的基极处于0偏置或反向偏置，基极电压为0～6V（与放大或饱和导通时基极电压反相）。

三极管基极工作电压就是0.7V，但是区分三极管的工作状态是在线性区（放大状态），还是在非线性区（开关状态），要看各极的电流与电压，而不单是电压。

对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

当A点输入6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为3V，这里T1没有Vcc。因为T1集电极直接与T2基极连接，T1的C-E间没有正向通路，也没有正向Ic，那么T1的C-E间电压降为0，所以当电压到达T2时基极是6V。

硅管与锗管的基极与发射极电压不同，分别是0.7V 0.2--0.3V 。集电极与发射极电压可以是0--晶体管的集电极与发射极的工作电压的上限值。

集电极、发射极反向偏置，基极、发射极正向偏置，硅三极管发射极和集电极反向偏置，电压超过0.3伏，基极、发射极正向偏置0.5伏以上；锗三极管集电极与发射极反向偏置，电压超过0.3伏，基极、发射极正向偏置0.3伏以上，就可以工作。

如何求解三极管基极电压?

求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。需要注意的是，这些公式都是基于三极管处于正常工作状态的情况下推导出来的，如果三极管处于非正常工作状态，比如击穿或过压等情况，这些公式就可能不适用了。

三极管处于开关状态，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。例如：基极偏置电阻为5K，集电极电阻为10K，供电电源为12V，一定是工作在开关状态。

对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

对于NPN型硅管，当电源电压为E，集电极电阻为Rc，发射极电阻为Re，集电极电流为Ic时，Uce（集电极与发射极之间的电压）的近似值为E-Ic（Rc+Re）。Ucb（集电极与基极之间的电压）的近似值为E-（Ube+IcRe）。这里，Ube代表的是基极与发射极之间的电压，通常对于硅管而言，Ube大约为0.7V。

怎样计算三极管各级的电压?

下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。

求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。

这里，Ube代表的是基极与发射极之间的电压，通常对于硅管而言，Ube大约为0.7V。Ubc（基极与集电极之间的电压）则与Ucb相对，但其计算方式有所不同。在理想情况下，Ubc可近似为0V，但在实际操作中，由于电流流经集电极电阻Rc，Ubc可能会有轻微的正向偏置，即Ubc0V。

Ube是BE极间电压、Ubc是BC极间电压，Uceo是CE极间饱和电压，不用算，由器件DATASHEET给出，是本身的特性。

对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

三极管各个电极电平高低关系?

1、截止状态：Ube0.7V； （如果是锗管则Ube0.3V）放大状态：Ube0.7V，UceUbe；饱和状态：Ube0.7V，UceUbe。你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=75-10=0.75V ；Uce=3-10=0.3V 。这样， Ube0.7V，UceUbe，所以此三极管工作在饱和状态。

2、基极输入高电平，三极管导通，集电极接地，输出是低电平；基极输入低电平，三极管关断，集电极电压为电源电压，输出是高电平；三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件；作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

3、电压高低关系不好说，各极电压跟管型有很在关系。但根据工作状态总体是两以下几个原则（适合任何型号的三极管）：放大状态下：UcUbUe（PNP） 或（UeUbUc（NPN）换句话说就是发射结正偏，集电结反偏。饱各状态：发射结正偏；集电结正偏。截止状态：发射结反偏；集电结反偏。

如何计算NPN三极管的集电极电压

一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。三极管处于开关状态，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。

对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

对于NPN型硅管，当电源电压为E，集电极电阻为Rc，发射极电阻为Re，集电极电流为Ic时，Uce（集电极与发射极之间的电压）的近似值为E-Ic（Rc+Re）。Ucb（集电极与基极之间的电压）的近似值为E-（Ube+IcRe）。这里，Ube代表的是基极与发射极之间的电压，通常对于硅管而言，Ube大约为0.7V。

求三极管各极电压计算公式

1、下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。

2、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

3、三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。

4、这里，Ube代表的是基极与发射极之间的电压，通常对于硅管而言，Ube大约为0.7V。Ubc（基极与集电极之间的电压）则与Ucb相对，但其计算方式有所不同。在理想情况下，Ubc可近似为0V，但在实际操作中，由于电流流经集电极电阻Rc，Ubc可能会有轻微的正向偏置，即Ubc0V。

关键词：三极管基极电压