pn结的导通电压（pn结导电原理）

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PN结的导通电压是多少?

对于普通硅二极管，其正向导通电压大约为0.6至0.7V；而对于一些高耐压硅二极管，这个电压值可能高达1V。对于肖特基二极管，其正向导通电压则更低，大约在0.2至0.4V之间。反偏电压则是指二极管在反向偏置（即P区接负电压，N区接正电压）时，所承受的电压。

不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-0.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

B、导通电压：由公式做出伏安特性曲线，可知，因为Is特别小，所以当V不是很大的时候，I仍是很小的值；当V较大时，I的变化才明显起来。所以工程上定义导通电压Von。认为：当VVon时，二极管导通，I有明显变化；当V硅的导通电压：0.6~0.8V 锗的导通电压：0.2~0.3V。

PN结在正向电压情况下导通，但不是理想的开关，上面会有0.7V左右的电压。

根据导通程度和型号的不同，NP结正向导通后的电压可以在0.6~2V之间变化（硅管），如果你说的是三极管的集电结，那个变化范围就更大了，从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

不同的材料具有不同的死区电压，这是由半导体材料的特性决定的。硅管的常用PN结死区电压范围为0.7至0.8伏特，而锗管的死区电压范围则为0.1至0.3伏特。这些差异源于不同材料的电阻率和能带结构。

pn结两端电压怎么计算

在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。

我的观点：两端电压就是外加的电压1V。势垒电压时不变的，外加的1V也是不变的。外加的1V电压中会有0.8V用来克服势垒电压。但是两端电压不会因此改变。

串联：电压0.6+0.5=1V，电流取最小，是16mA；并联：电压按一般电池计算，电流相加，是36mA。

首先说一下PN结的电流方程I=Is×（e^（U/Ut）－1）。其中U为PN结两端电压；Is是反向饱和电流，它随温度的升高而升高；Ut是温度电压当量，相比于反向饱和电流的影响，它可以忽略不计。这里对发射结进行分析。当温度升高后，放大系数β增大，I（CBO）增大，Is增大。他们都会导致I（b）增加。

求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

PN结的伏安特性：A、数学模型：I=Is（e^（v/vT）-1）说明：很好的描述了二极管的正反向特性，并且它应该是实验室测量二极管伏安特性曲线，经过数学建模而得到的式子，符合客观事实。

PN结导通后的电压是多少?不是PN结的导通电压

1、根据导通程度和型号的不同，NP结正向导通后的电压可以在0.6~2V之间变化（硅管），如果你说的是三极管的集电结，那个变化范围就更大了，从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

2、B、导通电压：由公式做出伏安特性曲线，可知，因为Is特别小，所以当V不是很大的时候，I仍是很小的值；当V较大时，I的变化才明显起来。所以工程上定义导通电压Von。认为：当VVon时，二极管导通，I有明显变化；当V硅的导通电压：0.6~0.8V 锗的导通电压：0.2~0.3V。

3、PN结是一种特殊的结构，它是在一块半导体材料上将P型半导体和N型半导体结合而成的。当P区连接到正电压，N区连接到负电压，两者之间的电位差达到一定值时，电流可以从P区流向N区，这种现象被称为正向导通。此时的连接方式被称为正偏。值得注意的是，PN结的正向导通电压通常小于1V。

4、不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-0.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

5、如果T1集电极（T2基极）与Vcc间连接有负载（通路），那T1为集电极饱和导通状态，T1的C-E间的电压变为0.3V（其数值为T1饱和导通后的体电阻乘以T1集电极Ic）。另外饱和是不是就是导通？是的，饱和肯定是导通了！三极管在C-E间Vcc=0时可以等效成两个反接的二极管。

6、不同的材料具有不同的死区电压，这是由半导体材料的特性决定的。硅管的常用PN结死区电压范围为0.7至0.8伏特，而锗管的死区电压范围则为0.1至0.3伏特。这些差异源于不同材料的电阻率和能带结构。

什么是PN结的导通电压??

PN结是一种特殊的结构，它是在一块半导体材料上将P型半导体和N型半导体结合而成的。当P区连接到正电压，N区连接到负电压，两者之间的电位差达到一定值时，电流可以从P区流向N区，这种现象被称为正向导通。此时的连接方式被称为正偏。值得注意的是，PN结的正向导通电压通常小于1V。

PN结在正向电压情况下导通，但不是理想的开关，上面会有0.7V左右的电压。

PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结，由禁带宽度不 同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质 结通常采用外延生长法。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。

PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域。当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时，电流可从P区流向N区，这就是正向导通。这样接法就是正偏，PN结正向导通电压小于1V。

PN结的伏安特性：A、数学模型：I=Is（e^（v/vT）-1）说明：很好的描述了二极管的正反向特性，并且它应该是实验室测量二极管伏安特性曲线，经过数学建模而得到的式子，符合客观事实。

PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。

PN结上为什么加正向电压可以导通?

PN结加正向电压时，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。

由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。

当PN结外加正向电压时，外电场的方向与内电场相反，外电场削弱了内电场，使阻挡层变薄；当外电压继续增强时，会使阻挡层完全消失，PN结开始正向导通，形成PN结正向电流；当正向电压继续加大（0.7V），电流急剧增加，若不加限制，将烧毁PN结。

什么叫PN结、正向导通、正偏电压、反偏电压?有没有遇到8V以上的电压...

1、PN结是一种特殊的结构，它是在一块半导体材料上将P型半导体和N型半导体结合而成的。当P区连接到正电压，N区连接到负电压，两者之间的电位差达到一定值时，电流可以从P区流向N区，这种现象被称为正向导通。此时的连接方式被称为正偏。值得注意的是，PN结的正向导通电压通常小于1V。

2、PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域。当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时，电流可从P区流向N区，这就是正向导通。这样接法就是正偏，PN结正向导通电压小于1V。

3、pn结的正偏指p端的电势相对n端的要高。比如2V对1V ，1V对0V，0V对－1V等 正向导通是指在正偏的情况下两端电压（电势差）达到或超过pn结的导通电压，形成电流通路，也就是你说的硅管正向导通电压0.7V，而锗管的是0.3V左右。

4、正偏、反偏是对于PN结而言的。在开关电路中，三极管工作在饱和导通族雹前与截止两种状态。正偏即两极间加的电压与PN结的导通方向一致，即饱和状态，就是两个P-N结都处于正偏的导通状态；截止状态，就是两个P-N结都处兆清于反偏的截止状态。

关键词：pn结的导通电压