mos管最低导通电压（mos管最大电流）
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如何把Mos管导通时电压降控制在最小。
1、根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。
2、在设计过程中，工程师们需要精细地权衡这些因素，包括选择合适的导通电阻、确保有效的温度控制以及电流管理，以最大程度地降低压降，确保MOS管在工作中的高效性和稳定性。通过深入理解这些原理并采取适当的策略，电路设计者可以打造出性能卓越的MOS管应用。
3、基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器（比较器电源接正12V和地，比如LM358当比较器），比较器的输出经过1K电阻上拉后接G脚，如果控制电压比参考电压高，则控制MOS管导通输出电流。
MOS管导通的问题
1、如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要8-0.4=4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
2、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
3、mos管驱动电阻大导通时间延长有以下原因：RC时间常数：在驱动电路中，驱动电阻与驱动电容之间形成一个RC并联网络。较大的驱动电阻会增大RC时间常数，导致电荷注入或电荷抽取的速度较慢，从而延长MOS管的导通时间。驱动电流限制：驱动电阻的大小也会影响驱动电流的大小。
4、MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过的电流也就越大。
mos栅极电压是多少
mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
MOS场效应管是一种常见的半导体器件，特别是N沟道MOS管，其能够承受的最大电压为75伏，最大电流为300安。在实际应用中，为了确保器件的安全与性能，工作电压不应超过75伏。MOS管的三个主要电极分别是源极、栅极和漏极。这些电极之间的电压关系对器件性能至关重要。栅极电压直接影响着MOS管的导通状态。
MOS管栅极最高电压：以一个工作于直流线电压为160V（最大可为186V ）电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断，它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来，由Crss和Ciss分压。
电路中MOS管的开启电压选取，需考虑管子特性与电路需求。对于特定的NMOS管，其VGS范围为正负20V，而阈值电压（VGSth）在0.8V至5V之间变动。选择合适的栅极电压时，需关注以下几点：功耗、稳定性与噪声裕量。理想电压通常设置为VGSth的最大值加上一定裕量，确保MOS管稳定导通且考虑功耗因素。
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
帮忙推荐低电压导通的NMOS管,谢谢了!
你的板卡输出的电压已经有5V了，一般的NMOS管就都可以打通。并不是G极电压一定要小于2V，大于2V也可以导通。但是最好不要大于规格书的最大电压就可以了。
最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。控制方法不同。（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。（2）、增强型必须使得UGSUGS（th）才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。
为了实现100-300W大功率，需要搭配合适的MOS管。电感计算需考虑其储能和滤波功能，电感值越大，电感涟波越小，相对感值越小，涟波越大。电容和肖特基管的选择需注意MLCC陶瓷电容的材质，推荐X5R、X7R材质，避免使用内阻高、电容值随温度变化大的Y5V材质。
NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。
NMOS在栅极电压大于一定值时导通，适合用于源极接地的情况。PMOS则在栅极电压小于一定值时导通，适合用于源极接VCC的情况。尽管PMOS适合高端驱动，但由于导通电阻大，成本高，替代种类少，高端驱动仍常用NMOS。 MOS开关管损失 无论是NMOS还是PMOS，导通时都会产生导通损耗。
单片机的5VI/O能否直接选通NMOS管，取决于NMOS的导通电压，现在有些栅极导通电压低至2V多，这样自然就可以。早期的NMOS管的导通电压是6V，5V的IO就不行了。
MOS导通电压
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
MOS管导通时的电压降与导通电阻Rds（on）的大小有关，设计电路时需考虑此因素以确保性能稳定。导通电阻是MOS管在导通状态下的电阻值，导通电流通过时会形成电压降，造成源极与漏极电压差异。影响导通电压降的因素有三个：导通电阻、导通电流大小和温度变化。
以IRF540NPbF功率管为例，其最大漏极源极导通电阻为44毫欧姆（44mΩ），当栅极电压（VGS）为10伏特，且通过的电流为20安培时，导通压降可以通过简单的计算得出：20A * 0.044Ω = 0.88V。这意味着，当漏极电压为20伏特时，源极对地电压为：20V - 0.88V = 112V。
