发射极电压（发射极电压怎么算）

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基本晶体管正常工作时各极电压是怎样变化的?

当基本晶体管正常工作时，各极电压会发生如下变化：基极电压（Vbe）：当基极与发射极之间存在电压时（通常称为偏置电压），会使得电流从基极向发射极流动，此时Vbe的值大约为0.6 ~ 0.7伏。

在放大状态下，基极与发射极之间的电压通常维持在约0.7伏特，这是一个相对稳定的值，称为PN结的正向导通电压。这个电压是使基极电流开始流动的最小电压，也是晶体管开始工作的门槛。集电极与发射极之间的电压则根据晶体管的工作状态和外部电路条件而变化。

首先纠正你的说法：“当Ib增大时，Ue就减小.Ib减小，Ue增大”，不是Ue，而是Uce。是集电极到发射极的电压。你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc，这种关系才成立。Rc两端电压表示为URc，因为Uce+URc=Ucc，Ucc是电源电压。

集电极与发射极之间的电压变得非常低。这种情况下，三极管失去了电流放大作用，集电极与发射极之间的关系类似于开关的导通状态，我们称其为饱和导通状态。在电子维修过程中，通过测量三极管各脚的电压，电子维修人员能够准确判断三极管的工作状态，这是他们判断和诊断电路问题的重要依据。

正常工作时，射极接面处于正向偏压，集极接面处于反向偏压。无外加电压时，射极接面N区电子浓度高于P区，电子向P区扩散，同时P区电洞向N区扩散，形成空间电荷区。这个区域内的电场阻止扩散，达到动态平衡。施加正向电压打破平衡，热激发电子注入基极接面。

会使基极电流和电压往集电极流去，发射极没有信号输出，最终导致晶体管失去信号放大作用。

电路分析~这发射极的电压是怎么算的?

1、发射极电压也就是发射极电阻上的电压。所以，发射极电压=URe=Ie*Re=（1+β）Ib*Re。在基极回路里，基极到接地点的总电压为：Ube+Ure。Ube为基极和发射极之间的电压=Rbe*Ib。基极流过的电流只有Ib，而基极到地的电压是Ube+URe，除以ib就是从基极看进去的等效电阻Rb。

2、对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

3、好了，以下图为例，这是最简单的三极管放大电路，Vcc电压加在电阻Rc和三极管的集电极、发射极电路中，电阻Rc中有集电极电流ic通过，所以，Rc两端一定有电压URc，显然，Vcc电压分成了两个电压，URc和Uce，即Vcc=URc+Uce。

4、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管的发射极电压是多少?

1、对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

2、三极管基极到发射极称为发射结，处于放大状态时，硅三极管发射结电压常为0.6伏——0.7伏，锗管约为0.25——0.3伏，通常在放大状态的上限电压基础上加上0.1伏即进入饱和状态。

3、对于NPN型硅三极管，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极0.3V左右，处于饱和状态。

4、三极管作开关电路用时”发射极应该接负极（也就是线路中的地）。三极管的发射极出现9V电压，而且高于三极管集电极的5V，即说明是线路连接错误。基极用5V”控制时，要加限流电阻即可解决。

5、硅管与锗管的基极与发射极电压不同，分别是0.7V 0.2--0.3V 。集电极与发射极电压可以是0--晶体管的集电极与发射极的工作电压的上限值。

为什么发射区和基区电压要相差0.3

发射极电压高。基极电压的大小位于发射极与集电极之间，正常静态工作情况下，基极与发射极之间的电位相差0.3v，是因为PNP型管的发射极电压比基极高，其中会有个差值的压降。

由于发射结外加正向电压，多子的扩散运动增强，所以发射区的多子—自由电子不断越过发射结扩散到基区，形成了发射区电流ien（电流的方向与电子运动方向相反）。同时电源向发射区补充电子，形成电流 ie 。而此时基区的多子—空穴也会向发射区扩散，形成空穴电流 iep 。

PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源助o。

应该是1脚是发射极，2脚是集电极，3脚是基集 同二楼说的一样e\b结之间有0.2-0.3V左右的电压差，基极电压高于发射极电压，如果是硅管这个电压为0.6-0.7。所以可以判断是锗管，1脚和3脚必定为基极和发射极之一。

三极管PNP中发射结电压比集电结电压大是一条错误命题，三极管工作有三种状态，放大、截止、饱和，三种状态下三极管各极电压不同。

请问如何计算下图中三极管的发射极电压?这个电压和+24VDC有什么关系_百...

接近开关常用的是三根线，中间一根是输出线，所以看中间是N还是P，正电压里ZHENG字带N，负FU不带N，所以PNP，中间是N，跟正接近，就是正电压，导通时是正电压，NPN中间没有N，是负电压，导通时是零V。

在电路符号上PNP型管发射极箭头向里，NPN型管发射极箭头向外，表示电流方向。三极管 2个PN结的方向不一致。PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。NPN则相反。

首先要明确PNP、NPN是三极管构造的两种不同方式接入PLC的输入端。PNP输出：如下图所示，PNP形式输出的信号，其负载为下拉电阻，到PLC上或其他输入设备上的接线是output（信号线）与0V（电源负）之间，所以接在PLC上时，信号线接I（输入）口，把0V接COM端。

未接之前 有28V，但如果内阻很大（原线路是的电阻和）比如10K，当接上继电器后，即使电流很少（比如1毫安），电阻是压降就有10V，2毫安就20V，此时测量电压为就只有28-20=8了。同时由于电流只小，所以继电器不吸合。

三极管的发射极/基极/集电极电压分是多少伏?

硅管与锗管的基极与发射极电压不同，分别是0.7V 0.2--0.3V 。集电极与发射极电压可以是0--晶体管的集电极与发射极的工作电压的上限值。

对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

集电极、发射极反向偏置，基极、发射极正向偏置，硅三极管发射极和集电极反向偏置，电压超过0.3伏，基极、发射极正向偏置0.5伏以上；锗三极管集电极与发射极反向偏置，电压超过0.3伏，基极、发射极正向偏置0.3伏以上，就可以工作。

-3V是基极 -6V发射极 -9V是集电极 这是个PNP型的锗三极管，处于放大状态。解这种题，通常分五步：先找发射结，同时判断工况：在正常工作状态下，发射结肯定是处于导通状态的。

关键词：发射极电压