mos驱动电压（mos驱动电压要与内阻关系）
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vgs在电路中代表什么意思
1、vgs在电路中代表MOS管驱动电压意思。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
2、VGS在电路中的含义 在电子学中，VGS通常指的是“栅极-源极电压”。它是描述场效应晶体管工作状态的参数之一。通过控制VGS，可以调节晶体管的导电性能。 VGS在电池技术中的应用 在电池技术领域，VGS可能指的是“电压感应栅极开关”。
3、VGS在电路中的含义 在电子学中，VGS通常指的是栅极-源极电压。它是描述场效应晶体管工作状态的参数之一。通过控制VGS，可以调节晶体管的导电性能。 VGS在能源领域的应用 在某些能源管理系统或电动汽车的充电设施中，VGS可能指的是电压感应栅扫系统。
开关电源的m0s管用多少电压驱动
1、开关特性是场效应管的核心功能之一。在设计中，MOS管的使用尤为普遍。NMOS管在栅极电压Vgs大于某一特定值时就会导通，此时，源极接地的情况最为常见，即所谓的低端驱动。通常，栅极电压只需达到4V或10V，NMOS管就能实现导通。另一方面，PMOS管则在源极接VCC时表现出导通特性，此时，其开关特性同样显著。
2、保护G极的稳压管一般是15——18V，如果确定驱动电压不会超过MOS管G极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。
3、开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。
4、这个没有定数，RG一般在10-100欧之间，RT在7K---10K之间，和输出功率以及MOS有关。因为每种型号的MOS的结电容都不一样，虽然MOS是电压驱动元件，但是还是需要电流的，所以高结电容容量的MOS需要的驱动电流也大，反过来就小电流一些。
5、导电沟道消失，MOS管截止。 应用与灵活性 MOS管因其导通与截止状态可受电压精确控制的特性，在电子电路中有广泛应用。通过调整栅极电压的大小，可以灵活地控制MOS管的导通程度，从而实现对电路中电流的精确控制。这使得MOS管在开关电源、电机驱动、放大电路等众多领域都有重要应用。
6、如果需要110V的输出电压，可以在交流电上升至110V时使MOS管断开，当电压降至0时再重新导通，再次电压上升至110V时再断开，以此循环，可得到110V的交流电。利用整流电路，可以将交流电转换为直流电。通过控制MOS管的开关时间，可以改变输出电压的大小。
请教mos驱动电压问题
换成P沟道管。mos管驱动电压不足会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断应该使用P沟道管，做成共源放大电路（上面为S极），才能将电源电压满幅度输出。驱动电压，使器件开始工作所需的最小供电电压。
过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。
在普通MOSFET中，10A的电流产生的电压降大约为0.4V，这对于许多负载来说可能影响不大。 MOSFET的门极导通电压通常在1V至4V之间，而标称值通常是3V。因此，使用3V工作的单片机通常足以驱动MOSFET。 然而，需要考虑的是电池的负载能力。
MOS管内阻很小，普通的有 40mΩ 左右，导通电流支持20A；好的能到4mΩ左右，导通电流支持80A；10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。
