场效应管的导通电压（场效应管导通电压在多少伏之间）

频道：其他日期：2025-01-07 22:45:44 浏览：15

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1、可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。

2、场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

3、场效应管的起始导通电压大约在8V左右，根据使用管子型号不同，不要超过20V。显然，你的运放电压有点低，建议选择12V或者15V电压的运放电源。

4、综上所述，N沟道MOS管在正常使用时，栅极电压不能悬空，源极与漏极之间的电压不应超过75伏，以确保器件的安全与性能。

5、当然不能导通了。场效应管的导通条件是，栅源电压（UGS，栅极与源极之间的电压差，万用表红笔接栅极，黑笔接源极，万用表显示的就是栅源电压，不是栅极对地电压）至少大于开启电压（2-4V），也就是说，源极是19V的话，栅极电压至少要在21-23V以上才导通。

6、栅源电压V（GS）的控制作用：当V（GS）=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压，在DS间也不可能形成电流。

场效应管的导通电压（场效应管导通电压在多少伏之间）

1、场效应管的截止条件：Ugs必须小于开启所需电压。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，仅靠半导体中的多数载流子导电。属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

2、场效应管的导通条件是，栅源电压（UGS，栅极与源极之间的电压差，万用表红笔接栅极，黑笔接源极，万用表显示的就是栅源电压，不是栅极对地电压）至少大于开启电压（2-4V），也就是说，源极是19V的话，栅极电压至少要在21-23V以上才导通。

3、场效应管FET的种类比三极管BJT多得多，这里我们以与NPN型BJT相似的N沟道FET为例，探讨各种场效应管的工作条件。对于JFET及耗尽型MOSFET来说，当漏极D加上正电源，源极S接地，栅极G在零电压左右摆动时，管子可以正常工作。然而，当栅极G电压非常负，低于夹断电压时，管子会截止。

4、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

1、N区是自由自由区，P区是空穴区，如果加正电压，电流从G到S，则电子从S到G（N区到P区），然后N区的自由电子就变少了，则N沟道变窄甚至关断。所以要导通的话，加负电压打开N沟道，才能导通。

2、只有gs加负压，才能使gs之间的pn结（耗尽层）变薄，进而使可以导电的n型沟道变宽，场效应管才能工作。

3、在N型半导体上，通过扩散工艺形成两个高掺杂浓度的P区域，这两个P区分别连接着电极G（栅极）。N型半导体两侧的电极称为D（漏极）和S（源极）。当N型和P型半导体结合，会产生两个PN结，中间形成导电通道，即导电沟道，主要由N型半导体构成，称为N沟道结型场效应管。

4、场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

5、结型场效应管可以反向工作。以N型为例，除栅极是P型外，其它两极D和S均连在N型层上——故D、S可以对调。场效应管具有双向导通性（即总是从通道的高压端流向低压端，即D→S，或S→D），这一点与双极型管完全不同，双极型管不能两个方向上导通，加反向高压只会使双极型管损坏。

1、场效应管的起始导通电压大约在8V左右，根据使用管子型号不同，不要超过20V。显然，你的运放电压有点低，建议选择12V或者15V电压的运放电源。

2、V完全导通？不可能的。一般MOS管完全导通要10V以上，而且MOS管的导通其实也是一个过程，UGS（th）只是开始导通，这个值一般也都有2-4V了。我建议你还是换固态继电器这种当开关比较好，适合你的要求。

3、可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。

4、v，55A的管子，要可靠地开与关，栅极最好用16v的控制电压，但不要超过18v。

5、V控制电压过低，MOS管可能不完全导通，会造成MOS管过热损坏；一般这个电压可选在10-12V左右。此电路中可以用5V控制信号通过三极管或运放电路等把12V电压加到G极来控制MOS的导通。至于电机功率，要看你MOS管的散热条件，条件足够好的话，控制到20-30A的电流没问题。