峰值电压超过mos管ds电压（峰值电流限制）

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MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压

1、MOS管在承受过大电流时，由于电流过载，导致芯片内部的温度急剧升高，使得芯片内部的结构和联系因热应力而出现微小的损坏，这些微小的损坏会使得MOS管的电压突然反转，出现尖峰电压。

2、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。

3、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。电机、电容器和功率转换设备（如变速驱动器）是产生尖峰电压的主要因素。

4、MOS是开关管，也有反向峯达的，开关虽然关了他有些保留微弱的态机的，而小电流，变压器也是一个大电感应的。

5、反激上的开关管的尖峰包括两部分，一部分是主管关断，副边二极管导通时，由副边输出电压根据匝比折算到原边的反射电压。另一部分是主管开通时，由于原副边耦合不紧密导致原边漏感中存储了一部分能量。

控制220V交流电可以用MOS管吗,什么型号?

1、控制220V交流电压不用MOS管，因为MOS管的源漏极间雪崩电压通常只有几十伏，而220V交流电压的峰值达308V，远超出MOS管的耐受能力。一般是用可控硅（晶闸管）来控制220V交流电压的导通角，可控硅耐压达到800V的很常见，即使控制380V交流电压也可以的。

2、场效应管不能直接控制交流电的，可以选用双向可控硅，这样无触点开关，就不会造成单片机干扰重启了。或者用固态继电器也可以，实际上固态继电器里面也是可控硅。

3、这种情况比较简单，但是电路可靠性不高，220V和单片机电源必须共地，电路故障很容易高压烧毁低压端的单片机。低压控制高压，最好做隔离，上图为使用光耦隔离的控制方式，也可以使用其它物理隔离芯片。

4、以220V的市电为例，交流电的波形是正弦波，电压从0值变化到最大值。如果需要110V的输出电压，可以在交流电上升至110V时使MOS管断开，当电压降至0时再重新导通，再次电压上升至110V时再断开，以此循环，可得到110V的交流电。利用整流电路，可以将交流电转换为直流电。

3842脚7电压12v8脚没有5v吗?

英尺7伏12伏8英尺5伏如果3842只用5V供电，基本可以判断3842是好的。电路板加载后，8脚没有5V电压，电源脚电压跳变。可能的原因有很多，7脚外接50v47uf电解失效，输出短路，自供电电路失效，MOS管G稳压器击穿等。，需要耐心检查。检查MOS管的采样电阻是否烧坏或开路。

关于3842芯片电压解析 当讨论3842芯片的电压问题时，我们常常会遇到对管脚电压的疑问。例如，3842的第7脚在常规工作状态下应该保持在12V，而第8脚是否会有5V电压，则取决于电路设计和实际应用环境。首先，一个基本的观察是，如果3842芯片能在5V供电下正常运行，通常表明芯片本身功能正常。

通常，3842芯片的7脚（作为供电接口）需要稳定的电源，这个电压标准一般在12V或以上。然而，有的时候即使7脚供给12V电压，8脚（作为参考地或输出接口）并未如预期般输出5V电压。这种异常可能是由多种因素引起的：首先，电解电容可能因故障导致7脚电压波动，使得输出不稳定。

UC3842的7脚有12V低了，至少得17V才能启动，检查外围元件有无损坏。这个一般没电压的话，可能是内部线路的问题，所以说需要通过相关维修去了解。可能是芯片坏了。需要更换芯片。UC3842如果工作正常的话第8脚应该有5V的电压输出。脉宽是脉冲宽度的缩写，不同的领域，脉冲宽度有不同的含义。

的7脚电压只在10--11V间 是过低，正常在17-20V.8脚应该有5V。

如何选择开关电源上的MOS管

漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小，同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。

MOS管驱动 与双极性晶体管相比，MOS管导通时不需要电流，但需要足够的GS电压。MOS管的驱动实质上是对寄生电容的充放电过程。设计驱动电路时，需注意能提供足够的瞬间短路电流。对于高端驱动，栅极电压需大于源极电压，这就需要考虑升压电路。选择合适的电容可以确保足够的短路电流。

半导体MOSFET管的特性参数详解;

1、场效应管的特性参数包括绝对最大额定值、额定电压、额定电流、额定功耗与额定温度等。绝对最大额定值是任何情况下都不允许超过的最大值。额定电压包含VDSS（漏极与源极之间的最大电压值）与VGSS（栅极与源极之间的最大电压值）。

2、极限参数是确保MOS管不损坏的最低要求，也称为最大额定值，超过这些极限值时，MOS管就可能失效损坏，主要参数有：漏源电压Vds，栅源电压Vgs，连续漏极电流Id，瞬时漏极电流Idm，功耗Pd，结温Tj。

3、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，其特点是由金属栅极、绝缘氧化物层和半导体通道组成。MOSFET的源极（source）和漏极（drain）在结构上是对称的，均可作为N型或P型半导体形成。

4、PD（最大耗散功率）： 设定安全工作区域，过热时需格外注意。VGS（最大栅源电压）： 限制栅极电压以防器件过载，过高可能导致击穿。Tj（最大工作结温）： 温度过高可能影响性能，设计时需留出余地。TSTG（存储温度范围）： 确保器件在不同环境条件下的长期稳定性。

5、SiC MOSFET的Vd - Id特性 SiC MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，因此在宽电流范围内都能实现低导通损耗。相比于室温下Si MOSFET导通电阻可能增加2倍，SiC MOSFET的导通电阻上升率较低，易于热设计，且在高温下的导通电阻也较低。

6、在热设计时，应按照最坏情况来设计，确保MOSFET工作在开关状态，并关注封装的半导体结与环境之间的热阻以及最高的结温。在其他方面，还需关注开关时间（ton、toff）、内部寄生二极管、低频跨导gm等参数。

如图,NPN三家管集电极连接到PMOS管基极,能否用PWM控制?

1、当控制信号为高电平时，三极管导通，会把场效应管的栅极拉低至其电源电压的一半，以至于场效应管导通，输出与输入等同的电压；当控制信号为PWM时，所得的输出就是相同的PWM信号，只是峰峰值为其输入的电源电压值。

2、如果电路中使用的是PMOS管，无论单片机输出什么信号，MOS管都会处于截止状态。 解决这个问题的唯一方法是：如果不需要太大功率，可以使用单管输出。将单片机的输出连接到三极管的基极，三极管的发射极接地，集电极通过一个负责的电阻连接到12V电压。

3、单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。假设单片机输出电平是3V，而你的MOS管在Vgs=3时的导通阻抗可以接受，那就是可以的，否则就需要增加MOS管驱动电路。

4、PMOS管具有三个主要部分：源极、漏极和栅极。它依靠施加在栅极上的电压来控制源极和漏极之间的通道，实现开关的功能。当栅极施加正电压时，PMOS管的通道会被拉通，允许电流通过；当栅极电压为0或负值时，通道则被关闭，电流无法通过。