latch电压（latch电路原理）
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IC可靠性之Latch-up(闩锁效应)
Latch-up的定义源于JESD78，其定义原文如下（出自JESD78E）：闩锁效应：在触发条件移除或停止后，由于过应力引起寄生晶闸管结构，形成低阻抗路径，这种状态持续存在。备注1：过应力可能是由电压或电流过冲、电流或电压变化率过快，或其他导致寄生晶闸管结构产生自激条件的异常情况引起的。
本文探讨的是集成电路可靠性中的一个重要问题——闩锁效应（Latch-up），它在JESD78标准中有明确的定义。JESD78E解释说，闩锁状态是指在设备受到过应力（如电压或电流冲击、电流或电压变化过快，或其他导致寄生晶闸管结构自我激发的异常情况）后，即使去除或停止这种触发条件，仍存在的低阻抗路径状态。
闩锁效应，即CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子在电流放大系数均大于1时，形成的电流放大回路现象，导致管子电流过大而烧毁芯片。原理分析 状态一，载流子注入导致电流In和Ip，且In*R_nwell=0.6，Ip*R_psub=0.6。
芯片latchup测试
1、Latch-up测试是集成电路设计中的一个重要环节，本文主要介绍测试流程以及防护设计。在测试流程方面，标准JESD78E将测试分为两种：电流测试（I-test）和电压测试（V-test）。I-test又包括正向注入和负向抽取，分别模拟非电源管脚在浪涌电压作用下是否会产生寄生三极管的开启。
2、遵循标准JESD78E，Latch-up测试分为两个部分：电流测试（I-test）和电压测试（V-test）。I-test分为正向注入和负向抽取，分别模拟浪涌电压对非电源和电源端口的影响。V-test则测试电源浪涌引发的PN结击穿风险。表一列举了不同测试条件，MSV表示最大允许工作电压。
3、latch up test 闩锁测试；拴锁效应试验；闭锁试验 双语例句 1 The triggering voltage can be improved by up to one order ofmagnitude.This conclusion is proved in practical static latch up test.这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级，在实际的闩锁静态测试中得到验证。
4、ESD&LatchUp测试流程1ESD&LatchUp测试概要ESD&LatchUp主要用于测试芯片的ESD&LatchUp的水平，需要项目SE、后端设计工程师、封装工程师、可靠性测试工程师共同参与，主要工作包括：ESD&LatchUp测试方案确定、ESD&LatchUp测试流程执行、测试结果分析及出现失效后的问题定位和解决方案的确定。
5、本文探讨的是集成电路可靠性中的一个重要问题——闩锁效应（Latch-up），它在JESD78标准中有明确的定义。JESD78E解释说，闩锁状态是指在设备受到过应力（如电压或电流冲击、电流或电压变化过快，或其他导致寄生晶闸管结构自我激发的异常情况）后，即使去除或停止这种触发条件，仍存在的低阻抗路径状态。
latchup效应
1、Latch-up效应的定义：Latch-up效应是指在CMOS集成电路中，由于寄生PNP和NPN双极型晶体管的相互作用，形成电源VDD和地线GND之间的低阻抗通路，导致大电流流过，这种现象可能会对芯片造成永久性损害。随着IC制造工艺的发展，封装密度和集成度提高，Latch-up效应的发生可能性也随之增加。
2、闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。简介 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。
3、Latch-up是一种在体CMOS集成电路上固有的现象，电路在特定条件下被触发，形成低阻通路，并产生大电流。在这种正反馈作用下，Latch-up会导致CMOS集成电路无法正常工作，甚至造成芯片的损坏。这一效应是由于NMOS有源区、P衬底、N阱和PMOS有源区共同组成的n-p-n-p结构产生的。
4、闩锁效应（latch up）是CMOS技术中关键的问题，它发生在NMOS和PMOS之间的特殊电路回路中。简单来说，latch up就是由两个寄生双极型晶体管串联，每个晶体管的基极和集电极相连，形成一个正反馈回路。
5、Latch-up的定义源于JESD78，其定义原文如下（出自JESD78E）：闩锁效应：在触发条件移除或停止后，由于过应力引起寄生晶闸管结构，形成低阻抗路径，这种状态持续存在。备注1：过应力可能是由电压或电流过冲、电流或电压变化率过快，或其他导致寄生晶闸管结构产生自激条件的异常情况引起的。
6、闩锁效应 闩锁效应，即CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子在电流放大系数均大于1时，形成的电流放大回路现象，导致管子电流过大而烧毁芯片。原理分析 状态一，载流子注入导致电流In和Ip，且In*R_nwell=0.6，Ip*R_psub=0.6。
