雪崩电压和反偏电压（雪崩电压测试）
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pn结击穿的半导体物理释义
1、pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。形成反偏PN结击穿的物理机制有两种：齐纳击穿和雪崩击穿。
2、半导体物理中，pn结的击穿现象受到多种因素的影响，包括材料的内在特性、杂质的浓度以及生产工艺。击穿过程主要可以分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三种情况。雪崩击穿和隧道击穿通常是非破坏性的，即当反向电压降低后，pn结的性能可以恢复。
3、pn结击穿，即在半导体物理学中，当对p型和n型半导体之间的接触界面（pn结）施加反向电压时，如果电压值超过了一定的阈值，VBR，会引发一个显著的现象。这个现象被称为pn结的电气击穿。在击穿过程中，原本受到限制的反向电流密度会突然急剧增加，显示出pn结的电性能发生了质的转变。
4、在半导体物理中，PN结是通过在半导体材料中一侧掺入接受杂质（空穴提供者）和另一侧掺入给予杂质（电子提供者）形成的关键结构。这个结构的核心部分是空间电荷区，也称耗尽层，是由p区空穴扩散后形成的负离子区与n区电子扩散后留下的正离子区，这里没有自由载流子活动，只有固定的电荷。
5、PN结内部孕育了强大的内建电场，它由两侧异号电荷形成，方向从n区指向p区。这种电场力量强大，支撑着半导体材料的基本特性。击穿现象：PN结的临界点 当反向电压施加到PN结上，一个转折点悄然而至。当电压达到临界值时，反偏电流会急剧增加，这就是所谓的击穿。击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿。
6、PN结的稳定状态并非永恒，当电压超过一定阈值，会发生雪崩、齐纳或热击穿。每种击穿模式都有其独特的触发条件和破坏机制，深入理解它们对于器件设计至关重要。尽管本文并未详述详细的推导和理论分析，但以上概述揭示了PN结在半导体物理中的核心地位，以及其在实际应用中的关键作用。
三极管雪崩过程指的是什么时候、
雪崩过程是在放大或者截止状态时都有可能发生（因集电结反偏，当电压很高时即可发生雪崩倍增），但是在饱和状态时是不可能发生的（因这时集电结正偏）。
雪崩三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率变换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至几百W，频率至几百MHz左右。这样的雪崩三极管是在一个本征半导体中由三层n型半导体和p型半导体构成的。
结构略有不同，基本差不多，所谓的雪崩三极管主要是指三极管的CB极工作在PN节雪崩击穿区，其前面的输入特性完全和双极性三极管相同，但是CB的击穿特性就和雪崩击穿的二极管一样！其实普通三极管也有这个特性，只是可能雪崩后电流没这么大罢了。
雪崩三极管型号主要有2N303ZTX41FMMT413DB。雪崩三极管型号主要有2N303ZTX41FMMT413DB系列等雪崩三极管。
MOSFET的雪崩特性是在外加电压大于V（BR）DSS时MOSFET也不会遭到破坏的最大漏源间的能量，用漏极电流的值来表示。当负载为电感时．在管子截止时加在漏源间的冲击电压常常会大+V（BR）DSS。电力通常需要高压大电流的mosfet，信息电子电路相比电力，电压和电流都小很多，mosfet的耐压和电流自然小些。
对NPN三极管来说，当基极电位比发射极高时发射结就处于正向偏置，当基极电位比集电极低时集电结处于反向偏置，如果是PNP管上述说法反过来。NPN三极管处于放大状态时电流从发射极流出，如果是PNP管从集电极流出。实际上硅管发射结正向偏置电压在达到0.6V时才能正常进行放大，但截止和放大的分界线还是Ube=0。
可控硅整流基本伏安特性
1、可控硅整流的伏安特性分为反向和正向两个主要阶段： 反向特性：当控制极断开，阳极施加反向电压时（如图3所示），J2结呈现出正偏，而J1和J2结则呈反偏。这个阶段只允许很小的反向饱和电流。当电压上升到足以使J1结发生雪崩击穿时，J3结也会随之击穿，电流迅速增加，特性曲线开始弯曲，如OR段所示。
2、双向可控硅的伏安特性主要分为反向特性和正向特性。在反向特性中，当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但JJ2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，特性开始弯曲。
3、工作原理上，可控硅可以看作是由两个PNP和NPN管组成，阳极正向偏压时，通过控制极的触发信号使可控硅饱和导通，即使控制信号消失，仍能维持导通，显示出不可关断的特性。其基本伏安特性分为反向和正向特性，通过改变触发条件，实现开关特性。
4、这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
5、可控硅整流器是一种半导体电子器件，具备单向导电性和可控关断特性，能够将交流电压转换为直流电压。它广泛应用于电子设备和电子产品中，如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。由于其稳定性高、寿命长且成本低廉，因此应用领域广泛。
6、控制极的作用是触发晶闸管导通，但导通后控制极失去控制作用，称为门极。晶闸管导通需要满足以下条件：阳极和阴极间加正向电压；控制极和阴极间加正向触发电压；阳极电流不小于维持电流。晶闸管的伏安特性分为正向特性和反向特性，正向特性分为阻断状态OA段和导通状态BC段。
