场效应管导通电压（场效应管导通电压多少伏）
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导通电压很低的场效应管
如果场效应管的导通电压很低，一般来说它的开启电压会比较小，也就是说需要比较小的控制信号才能让它正常工作。这种情况可能会影响场效应管的放大和驱动能力。因此，在选择场效应管时，需要根据实际应用需求和电路设计来选取合适的型号，并在电路中进行充分测试。
而P沟道场效应管，则需要在S-G极之间加上一个“ON”电压（S为+，G极为-）具体电压值请参考具体型号的datasheet，才能使S与D之间导通。与普通三极管不一样的是，导通后的场效应管不叫压降，而叫导通电阻（Ron）。如果正极电流是从VCC+5VSB进来。
电压过低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断。mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
要想是场效应管完全导通,栅极需要多少伏的电压,我的电路图中运放需要多...
1、v，55A的管子，要可靠地开与关，栅极最好用16v的控制电压，但不要超过18v。
2、V完全导通？不可能的。一般MOS管完全导通要10V以上，而且MOS管的导通其实也是一个过程，UGS（th）只是开始导通，这个值一般也都有2-4V了。我建议你还是换固态继电器这种当开关比较好，适合你的要求。
3、可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。
mos管导通条件
MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
当MOS管的栅极电压大于0V时，MOS管可以导通。详细 MOS管的基本工作原理 MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制电流的器件。它的核心结构是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成的。
n沟道mos管导通条件 导通时序可分为to~tt1~tt2~tt3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
