临界饱和电压（临界饱和电压计算公式）

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三极管饱和电压怎么算

v（OPP）=v（cem）-v（ceq）=3V，而有效值则是V（OM）=3/414，近似于2V。对于NPN单管共射放大电路，饱和失真就是输入信号的正半波超过了三极管的放大能力，造成失真，对应的输出波形就是输出波形底部失真，即输出时三极管进入饱和区，Q设置过高。

三极管的饱和电压计算涉及多个因素，通常不是通过简单的公式直接得出。在三极管的输出特性曲线上，可以作出输出回路方程UCE=VCC-IC\*RC。当三极管进入饱和区后，集电极电流IC不再随着基极电流IB的增大而显著变化，此时集电极和发射极之间的电压VCE即为饱和电压。

三极管在饱和状态下，Ic=b*Ib（b为放大系数）不成立（成立就是放大状态）。此时不可根据已知的Ib来计算Ic。

半导体测试中VCESAT是一个什么参数!

1、这个参数是双极型晶体管（也就是三极管）中的临界饱和电压，它反映放大状态和饱和状态的临界点在UCE上的反映。这个参数在小功率三极管上，大概是0.6-0.7V，大功率三极管可以达到2-3V，这个参数会影响三极管作为功率放大输出时的效率，同等条件下，数字越大，效率越低。

2、Vcesat—— 集电极-发射极之间的饱和导通电压，即饱和压降。不过图中画的是BE间的电压。

3、HFE是共射条件下H参数模型正向导通时的电流增益 Vce（sat）：Ic的产生与CE两极之间的电场强度有关，由于电子在半导体中的运动有限，当Vce增大到一定程度以后，Ic不再增加，也就是进入了饱和区，继续增大Vce，会导致击穿。在这里，Vce（sat）是指达到饱和区所需的CE间最小电压值。

这两个饱和压降是怎么算出来的

1、晶体管的饱和压降不是计算出来的，它由管子结构如pnp，npn决定，另外也由制作工艺，材料相关。其数值往往是一个区间。

2、饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

3、饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结 （ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。按照书上的解释就是：在一定的温度和压力下，溶液内所含被溶解物质的量已达到最大限度，不能在溶解了。也可以说是：事物发展到最高限度。这里所讲的饱和就是完全的意思。

4、晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压，即等于两个PN结正向电压的差，因此，对于理想晶体管，饱和压降与PN结的导通压降，严格来说，是有一定的关系。

如何区分工作在放大区还是工作在开关状态?我是这么理解的对吗_百度知...

集射间电压小于电源电压大于0.3伏，是放大区。集射间电压小于或等于0.3伏。是饱和区。

你好：——★三极管工作在饱和状态，就是开关管，它的【电流输出能力很大】。注意，这里指的是输出能力，实际的工作电流，还要受到负载的影响。——★开关管实际的工作电流，受到负载的影响。例如开关管的集电极负载为三极管放大电路的基极，那么此时的工作电流并不大，有可能比放大状态小。

不管是共发射极，还是共基极，三极管自身的工作状态是一样的，偏置和电流都相同。 不同的仅仅是需要放大的信号从那里输出和从哪里输出的区别。对NPN三极管来说，基极的电压高于发射极，就是发射结正偏；基极的电压低于集电极，就是集电结反偏。

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动态电路是指电路中的用电器是阻值可变的元件，如光敏电阻等；而静态电路指的就是不含这些元件的电路。4判断是不是动静态电路，应根据是否含阻值可变元件来界定，而不是输入电流电压的大小。由金属导线和电气以及电子部件组成的导电回路，称其为电路。

三极管Vceo与Vcbo

1、VCEO：集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。VCBO：基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

2、我在以前也遇到过这种现象，在对老式的锗PNP管测试时就是这样的。原因是穿透电流ICEO的存在造成的，因为ICBO远远小于ICEO，所以当测量电源电压不是稳压电源时，就会出现误差。如果是用精度比较高的稳压电源就不会有这个现象。

3、三极管的耐压有三项指标，集电结反向耐压Vcbo、发射结反向耐压Vebo和和集电极至发射极最大电压Vceo。电流则是指集电极最大电流Icm。Vebo：通常三极管用于放大作用，发射结是正偏的，但有时三极管会工作在开关状态，发射结就要反偏，所以要考虑，发射结反向击穿电压，一般小功率的管子的Vebo能在几个V左右。

4、三极管13007的参数主要包括：集电极-基极电压（VCBO）为700V，集电极-发射极电压（VCEO）为400V，发射极-基极电压（VEBO）为9V，集电极电流（IC）为0.8A，耗散功率（PC）为30W，工作温度为-55℃～+150℃，封装类型为TO-220。

模拟电子技术中的三极管、饱和管压降和Uces是指什么概念?

1、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。工程中，其实饱和和放大的边界远没有那么清楚，是一个很模糊的概念，对于小功率管而言，基本上UCE=1V开始，就逐步进入饱和区了，UCE越小，饱和程度越深。

2、当晶体管完全、充分导通，CE之间的总有一定的电压，不可能为0，饱和压降就是指这个最小电压。三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。

3、指代不同：Uces：饱和状态。Uce：压降。原理不同：Uces：发射结和集电结都处于正偏，输出集电极电流决定于外电路参量。Uce：负载两端的电势差引起电压降。作用不同：Uces：用于减小集电极串联电阻，降低饱和压降。Uce：是电流流动的推动力，没有电压降也就不存在电流的流动。

关键词：临界饱和电压