开启电压与夹断电压（开启电压与夹断电压一样吗）

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什么是场效应管的夹断电圧和开启电压?

夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

有两种类型的场效应管：增强型和耗尽型。增强型的在栅源电压小于一定值时是没有导电沟道的（宽度为0），大于该值时才导电，这就是开启电压。耗尽型的在栅源电压=0时就已经存在非0宽度的导电沟道，而随着栅源电压的降低，沟道宽度越来越小，当沟道宽度=0时对应的栅源电压就称为夹断电圧。

fet主要参数

BVDS， 漏源击穿电压，是栅源电压UGS固定时场效应管能够承受的最大漏源电压。这一参数为设备的极限工作条件设定了上限，确保了其在实际应用中的安全运行。PDSM， 最大耗散功率，同样是一项极限参数，定义了场效应管在性能不降低的情况下允许的最大漏源耗散功率。

场效应管参数是：N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/。可以替换的如下：K2645：600V，2Ω，9A，50WK2141：600V，1Ω，6A，35WK3326：500V，0.85Ω，10A，40WK1388：30V，0.022Ω，35A，60WK1101：450V，0.5Ω，10A，50W 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。

IRFU020 IRFPG42 IRFPF40 IRFP9240 IRFP9140 IRFP240 场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET），主要分为两种类型：结型场效应晶体管（Junction FET，JFET）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）。

UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。BUDS—漏源击穿电压。

什么叫场效应管的开启电压和夹断电压?

夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

首先，直流参数中的饱和漏极电流，IDSS。它定义为当栅极与源极之间的电压UGS等于零，而漏极与源极间的电压UDS大于夹断电压UP时，对应的电流大小。夹断电压UP是指在UDS保持恒定时，漏极电流ID减小到极小值所需的UGS电压。

UP—夹断电压：指使结型或耗尽型绝缘栅场效应管中的漏源刚截止的栅极电压。 UT—开启电压：指增强型绝缘栅场效应管中，使漏源刚导通的栅极电压。 gM—跨导：表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中栅极电压UGS=0时的漏源电流。UP—夹断电压。是指在结型或耗尽型绝缘栅场效应管中漏源刚好截止时的栅极电压。UT—开启电压。它是指增强型绝缘栅场效应管中漏源刚导通时的栅极电压。gM—跨导。

定义不同：夹断电压是指当电压达到一定值时，为了保护设备或电路，通过控制电路断开电源的电压。通常用于防止设备过载、短路等故障，以保证电气系统的正常运行。开启电压是指使晶体管或其他器件开始导通所需的最小电压。作用不同：开启电压是指使晶体管或其他器件开始导通所需的最小电压电压。

Up，也称为夹断电压，是当栅极电压达到这个值时，漏源之间的电流恰好截止，此时管子的工作状态从导通变为截止。Ut，称为开启电压，对于增强型场效应管，它是使漏源间开始导通时所需的栅极电压。这个值决定了管子的阈值控制特性。gM，即跨导，是衡量栅源电压UGS对漏极电流ID控制能力的重要参数。

场效应晶体管的夹断电压UGS(off),指的是什么?它是哪种类型MOS管的参数...

正确答案：对于耗尽型绝缘栅场效晶体管，使其到底沟道出现夹断所需的栅源电压UGS称为夹断电压UGS（off）；对于增强型绝缘栅场效晶体管，使其不导通变为导通时的临界栅源电压UGS称为开启电压UGS（th）。

可用电流表或晶体管图示仪测得。（2）夹断电压（VP或UGS（off）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（VGS），可用万用表或晶体管图示仪测得。

功率MOSFET（Power MOSFET）全称功率场效应晶体管，其三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。它的主要优点是热稳定性好、安全工作区大，但缺点是击穿电压低，工作电流小。

直流参数 （1）开启电压UGS（th） （或UT）开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值， 场效应管不能导通。 UDS一定， iD 0。（2）夹断电压UGS（off） （或UP）夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为零时的UGS值 。

Up， 夹断电压，指的是结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止所需的栅极电压。这一电压值反映了设备在正常工作条件下的电压需求。Ut， 开启电压，则是增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时所需的栅极电压。它是设备达到有效电流传输状态的门槛电压。

UGS怎么求

1、开启电压UGS（th） （或UT）开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值， 场效应管不能导通。 UDS一定， iD 0。（2）夹断电压UGS（off） （或UP）夹断电压是结型和耗尽型FET的参数，漏极电流约为零时的UGS值 。即当UGS=UGS（off） 时，漏极电流为零（微小电流）。

2、UGS=UGG=6V，IDQ=IDO*（UGS/UGS（th）-1）^2=[10*（6/4-1）^2]=5mA UDSG=VDD-IDQ*Rd=12-5*3=5V （2）估算Au和Ro。

3、业务：主动授予服务（UGS，Unsolicited Grant Service） UGS业务用于传输周期性的、包大小固定的实时数据业务，其典型业务是VoIP电话。UGS业务一旦申请成功，在传输过程中就不需要再去申请。BS周期性地强制调度，不接收来自SS的竞争请求机会，同时禁止使用捎带请求，这样避免了带宽请求引入的开销和时延。

4、如何正确使用100u 使用100u的药物需要遵循严格的用药要求。在使用前需要仔细阅读说明书，并按照医生或药剂师的建议使用。在注射100u的药物时，需要使用专用的注射器，并按照指示进行操作。同时，需要注意卫生和安全，避免交叉感染和错误使用等问题。 注意事项 使用100u的药物需要遵循严格的用药要求。

5、首先 我们看你给的mos管 vds和 id的关系图 。饱和区电流基本不随ugs变化而变化的，也就是图中那个叠在一起的部分。（而恒流区是ugs不变，id不随uds的变化而变化的。