击穿电压怎么测量（击穿电压测量仪）
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如何用万用表测试二极管是否击穿损坏?
测试二极管是否击穿损坏通常可以通过万用表的二极管测试功能来完成。以下是一般的步骤： **选择二极管测试档位：** 多数数字式的万用表都有一个专门用于测试二极管的档位。通常，这个档位上会有一个二极管符号或者是一个三角形和一条竖线，表示二极管的测试。选择这个档位。
首先，万用表选择二极管档 发光二极管：观测时，长脚为正。用表测时如图：若表有读数，则此时红表笔所测端为二极管的正极，同时发光二极管会发光；若没有读数，则将表笔反过来再测一次；如果两次测量都没有示数，表示此发光二极管已经损坏 稳压二极管：有黑圈的一端为负。
首先，我们在电路板上找到需要检测的二极管。在电路板的背面找到引脚后，利用电烙铁和吸锡器把二极取下来。然后用数字万用表，调整到二极管测量档位。辨别出二极管的正负极，有白线的一端为负极，另一端为正极。第一次测量，把红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，读出数值。
数字万用表显示是二极管压降，再利用压降来判断二极管好坏 正常二极管正反两次测量，数字表一次显示1，另一次显示一定数值。显示1表示电压二极管两端电压很高，二极管没有导通；显示一定数值，表示二极管已经正向导通，此数值是二极管的电压降（毫伏），一般在0.2-0.8V即（200-800）间。
若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1Ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω，以免电流过大，损坏发光二极管。
．单负导电性能的检测及好坏的判断 ：硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
如何测量PN结击穿电压
1、电压表按极性接到PN结两端。从零开始加电压，注意电流表指示，开始时电流为零，电压加到某值时开始有电流，当电流达到测试条件所规定的值（如0.1mA）时，读出电压表指示值，就是该PN结的击穿电压。有的管子击穿很高，可达千伏以上，测试时注意绝缘，以免触电。
2、击穿电压的含义介绍如下：使电介质击穿的电压。定义 ：PN 结发生临界击穿对应的电压为 PN 结的击穿电压 BV，BV 是衡量 PN结可靠性与使用范围的一个重要参数，在 PN 结的其它性能参数不变的情况下，BV 的值越高越好。概述 使电介质击穿的电压。
3、PN结的单相导电性 当PN结外加正向电压时，正向电压将推动P区的空穴向N区移动，与负离子中和；同时，N区的自由电子向P区移动，与正离子中和，内电场的电荷被中和，内电场电势降低。这时，扩散电流大于漂移电流，形成“正向电流”。外电场增强时，内电场减弱，正向电流随之增大。
4、高频三极管的结构多为扩散型管，它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构，它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同，用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同，通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。
怎样测量电容击穿电压
要测量电容器的击穿电压，可以采用以下两种方法：使用万用表测量：首先，根据电解电容器的容量大小，选择万用表的合适挡位（通常选用R×R×100或R×1K挡）。然后，将万用表的红、黑表笔分别接电容器的正、负极，并观察读数。
用万用表判断电容器击穿电压，视电解电容器容量大小，通常选用万用表的 R×10 、 R×100 、 R×1K 挡进行测试判断。红、黑表笔分别接电容器的负极（每次测试前，需将电容器放电），由表针的偏摆来判断电容器质量。不同介质的电容器的击穿电压是不一样的。
若表针迅速向右摆起，然后慢慢向左退回原位，一般来说电容器是好的。如果表针摆起后不再回转，说明电容器已经击穿。如果表针摆起后逐渐退回到某一位置停位，则说明电容器已经漏电。如果表针摆不起来，说明电容器电解质已经干涸推失去容量。
比较好数字万用表都有电容容量测量档的，可以直接读出容量。测量耐压一般使用高压发生器串联电阻后进行测量，用万用变DC1000V档，读出击穿电压。专业测量就是用电容测试仪，测试出容量耐压以及温度特性。
指示值由小变大 后到达一个极大的值 这样的电容正常 没反应，一直无穷大 就说明断路了（此条pF级的电容不适用）电阻显示0值、说明电容击穿。电阻显示一定阻值，说明电容漏电。pF级的电容要用电容表测量。因为万用表的电压低，不保证用电压表测量正常的电容装机后使用正常。
怎样测量电容器的击穿电压
要测量电容器的击穿电压，可以采用以下两种方法：使用万用表测量：首先，根据电解电容器的容量大小，选择万用表的合适挡位（通常选用R×R×100或R×1K挡）。然后，将万用表的红、黑表笔分别接电容器的正、负极，并观察读数。
用万用表判断电容器击穿电压，视电解电容器容量大小，通常选用万用表的 R×10 、 R×100 、 R×1K 挡进行测试判断。红、黑表笔分别接电容器的负极（每次测试前，需将电容器放电），由表针的偏摆来判断电容器质量。不同介质的电容器的击穿电压是不一样的。
若表针迅速向右摆起，然后慢慢向左退回原位，一般来说电容器是好的。如果表针摆起后不再回转，说明电容器已经击穿。如果表针摆起后逐渐退回到某一位置停位，则说明电容器已经漏电。如果表针摆不起来，说明电容器电解质已经干涸推失去容量。
指示值由小变大 后到达一个极大的值 这样的电容正常 没反应，一直无穷大 就说明断路了（此条pF级的电容不适用）电阻显示0值、说明电容击穿。电阻显示一定阻值，说明电容漏电。pF级的电容要用电容表测量。因为万用表的电压低，不保证用电压表测量正常的电容装机后使用正常。
简易测量就是用指针式万用电表看电容是否失效和击穿，击穿后的电容器是导通的，失效的电容，表针无摆动现象。一般小容量电容，万用电表在测电阻乘1M或乘1K档上，大容量电容在乘1或乘100档上。比较好数字万用表都有电容容量测量档的，可以直接读出容量。
二极管软击穿怎么检测
1、反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
2、高压二极管，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压二极管，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压二极管已软击穿损坏。半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。
3、高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
4、检查整流二极管的方法如下：首先，要进行操作的是将整流器中的所有整流二极管逐一拆卸。在测量过程中，需要用到万用表的100×R或1000×R欧姆档。对于每只二极管，需要对它的两根引出线进行测量，确保头尾对调，这样可以得到准确的数据。
