三极管ce电压的简单介绍
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三极管uceo是什么电压?
Ube是BE极间电压、Ubc是BC极间电压，Uceo是CE极间饱和电压，不用算，由器件DATASHEET给出，是本身的特性。
Uceo是穿透电压，与导通状态下的Uce不一样。这个穿透电压在制作的时候就已经测好了，看晶体管的参数时都会有这个参数值。当三极管的基极开路的时候，加在三极管上的反向电压超过Uceo这个值时，三极管损坏。一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。
加在集电极c和发射极e之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uceo，加在集电极c和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Ucbo，加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。
Uceo是指三极管的击穿电压，它是在规定的Ice下测到的Uce。
uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。
三极管CE极间电压是多少
1、三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
2、CE的电压：Vce=Vcc-Ice*Rc=（12-77*2K）=47（V）。
3、三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中：Uec=Ec-βibRc-（β+1）ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。NPN管和PNP管算法一样，只是Ec和ib用负值代入。
4、三极管的CE极电压是由它的工作状态决定的，三极管的工作状态分三种：截止、导通、放大，截止时三极管的CE极电压近似于工作电压，导通时三极管的CE极电压为三极管的饱和压降，大约1V左右，放大时三极管的CE极电压理论上是在工作电压至饱和压降之间变化。
5、三极管放大与饱和，特征是基极对发射极为正偏，饱和时，CE间电压较为接近，一般在0.5V以下；放大时CE间电压大约在1/2电源电压左右。三极管的截止特征：基极对发射极反偏，CE间电压接近（或等于）电源电压。
三极管导通C,E间的电压是多少
三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
NPN（饱和）：Vbe=0.7V，Vce=0.2~0.3V。PNP（饱和）：Veb=0.3V，Vec=0.2~0.3V，非饱和状态无法判断。
三极管的CE极电压是由它的工作状态决定的，三极管的工作状态分三种：截止、导通、放大，截止时三极管的CE极电压近似于工作电压，导通时三极管的CE极电压为三极管的饱和压降，大约1V左右，放大时三极管的CE极电压理论上是在工作电压至饱和压降之间变化。
NPN 三极管CE导通的条件是：Ube0.7V，UcUb ；PNP 三极管EC导通的条件是：Ueb0.7V，UbUc 。三极管看成是由两个二极管组成，放大状态的时候集电极是反偏，Ic是漏电流，反向通过PN结，发射极是正偏，电流正向通过PN结。若是在TTL电路中，三极管是以二极管原理来判断的。
谁帮我算一下三极管的CE电流和电压
1、那么，CE的电流：Ice=hfe*Ib=40*0.09417=77（mA），CE的电压：Vce=Vcc-Ice*Rc=（12-77*2K）=47（V）。
2、三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
3、三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中：Uec=Ec-βibRc-（β+1）ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。NPN管和PNP管算法一样，只是Ec和ib用负值代入。
4、实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
5、mA，如果Vbe按0.7V算，则ib≈0.076mA，ic则要通过ic=β*ib来求，然后要判断下电流，因为ic最大电流只能有66mA，因为集电极接了一个3KΩ的电流，相当于限流电阻，最大电流不会超过5/3=66mA，如果超过了，那么电流就是66mA了，此时三极管处于饱和状态，电流不适用于放大状态的公式。
6、三极管饱和时的集电极与发射极之间的电压：Uce ≈ 0.2V 三极管的最大饱和电流：Icm = （Vcc - 0.2） / Rc 图中 = 48mA 基极电流：Ib = （Ui - 0.7） / Rb 图中 = 3 / Rb 基极电流输入过大，三极管的状态称为过饱和。
三极管的CE极电压由什么决定的?
1、三极管的CE极电压是由它的工作状态决定的，三极管的工作状态分三种：截止、导通、放大，截止时三极管的CE极电压近似于工作电压，导通时三极管的CE极电压为三极管的饱和压降，大约1V左右，放大时三极管的CE极电压理论上是在工作电压至饱和压降之间变化。
2、Uce不是固定的，三极管是电流放大器件，Uce之间电压符合欧姆定律，和基极电压基本没关系，和输入电流有关系。这个是初学者容易混淆的东西，以为输入电压恒定，输出电压就恒定。不是说了吗，晶体管是非线性元件。不是中学中学的电阻电路组成的线性。这个书上都会有公式的。
3、三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中：Uec=Ec-βibRc-（β+1）ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。NPN管和PNP管算法一样，只是Ec和ib用负值代入。
4、题主是否想询问“三极管ce击穿电压和温度有关系吗”？有关系。根据查询相关信息显示，温度上升会导致CE击穿电压下降。这是因为随着温度升高，NPN三极管的基区电压降低，会使得三极管的CE击穿电压降低。此外，温度升高还会增加PN结的反向饱和电流，从而导致三极管的CE击穿电压下降。
5、三极管处于放大状态下，各级的具体电压与集电极电流和电源电压有关，但其中B极电压比E高0.6-0.7V，CE之间的压差大于1V。
6、三极管在饱和状态的时候是基极控制电流已经达到三极管的最大控制所需电流，此时ce间电压差是最小的，近乎于直通状态，所以这种状态常用于开关作用，以控制输出端负载。半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。
