雪崩击穿电压（雪崩击穿电压大概多少）

频道：其他日期：2024-12-24 16:30:30 浏览：97

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1、雪崩二极管加正向击穿电压1600伏。BJT（双极型晶体管）的穿通电压与雪崩击穿电压一道，都起着限制着晶体管最高工作电压的作用（由该二者的最低值决定）。晶体管的穿通，就是在外加反向偏压还未达到集电结发生雪崩击穿时就出现了电流突然增大的一种现象，即提前发生“击穿”的一种效应。

2、击穿电压，是一种衡量二极管性能的重要指标，它指的是在指定反向击穿电流下的击穿电压。具体而言，齐纳二极管的额定击穿电压一般位于9V～7V之间，而雪崩二极管的则通常在6V～200V范围内。击穿电压是二极管在工作时承受的最大电压值，一旦超过这一值，二极管可能会发生损坏。

3、你说的整流雪崩二极管？这个名词不科学。至于说电压36V，很少有整流二极管是这么低的电压，所以我猜测你用的是稳压二极管。作为整流二极管，工作电压肯定低于它的击穿电压，所以36V变成38V也无关大局；但作为稳压二极管就是在击穿状态工作的，电压漂移2V就太多了。下面正面回答你的问题。

4、给与正向电压，并且大于二极管的导通电压！0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。

在这个过程中，IGBT依然有很大的电流流过，器件内部充盈着大量的电子和空穴。多余载流子变相降低了衬底的电阻率，使衬底的临界电场远低于静态条件下的临界电场，也就是动态下的雪崩击穿电压要远小于静态下的雪崩击穿电压。这时如果集电极出现比较高的电压就容易发生动态雪崩击穿。

首先，VCES（集电极-发射极阻断电压）是在结温范围内，允许在栅极-发射极短路状态下，IGBT在断态下承受的最大电压。手册中规定，VCES在25°C结温下给出，随温度降低会下降。在实际应用中，IGBT工作结温通常低于25℃，这里暂不详述。

当IGBT关断时，变化的电流di/dt会在回路寄生电感上产生电压，这个感应电压会叠加在母线电压上，使得IGBT CE之间出现一个电压尖峰。

静态特性描述IGBT在不同条件下的工作性能，包括集电极-发射极击穿电压V（BR）CES、集电极-发射极饱和电压VCEsat、二极管正向电压VF、最小栅极电压VGE（th）、漏电流ICES和IGES以及跨导gfS。这些参数影响IGBT的电压、电流、热管理和电流驱动能力。

如果H20R1353管的动作环境，也就是集电极发射极两端最大电压不超过1000伏（考虑到峰值电压，超过1000V就不要在替换了）可以使用FGA25N120替换。如果超过了，就不能替换。H20R1353的最大开关电压是1350V，FGA25N120的最大开路电压是1200V，其他的参数都可以兼容。

雪崩击穿电压（雪崩击穿电压大概多少）

PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。

PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。

齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。

性质不同雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。

－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。