关于三极管ce电压的信息

频道：其他日期：2024-12-17 11:21:10 浏览：64

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三极管的CE极电压是由它的工作状态决定的，三极管的工作状态分三种：截止、导通、放大，截止时三极管的CE极电压近似于工作电压，导通时三极管的CE极电压为三极管的饱和压降，大约1V左右，放大时三极管的CE极电压理论上是在工作电压至饱和压降之间变化。

Uce不是固定的，三极管是电流放大器件，Uce之间电压符合欧姆定律，和基极电压基本没关系，和输入电流有关系。这个是初学者容易混淆的东西，以为输入电压恒定，输出电压就恒定。不是说了吗，晶体管是非线性元件。不是中学中学的电阻电路组成的线性。这个书上都会有公式的。

三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中：Uec=Ec-βibRc-（β+1）ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。NPN管和PNP管算法一样，只是Ec和ib用负值代入。

题主是否想询问“三极管ce击穿电压和温度有关系吗”？有关系。根据查询相关信息显示，温度上升会导致CE击穿电压下降。这是因为随着温度升高，NPN三极管的基区电压降低，会使得三极管的CE击穿电压降低。此外，温度升高还会增加PN结的反向饱和电流，从而导致三极管的CE击穿电压下降。

三极管处于放大状态下，各级的具体电压与集电极电流和电源电压有关，但其中B极电压比E高0.6-0.7V，CE之间的压差大于1V。

关于三极管ce电压的信息

三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。

NPN（饱和）：Vbe=0.7V，Vce=0.2~0.3V。PNP（饱和）：Veb=0.3V，Vec=0.2~0.3V，非饱和状态无法判断。

NPN 三极管CE导通的条件是：Ube0.7V，UcUb ；PNP 三极管EC导通的条件是：Ueb0.7V，UbUc 。三极管看成是由两个二极管组成，放大状态的时候集电极是反偏，Ic是漏电流，反向通过PN结，发射极是正偏，电流正向通过PN结。若是在TTL电路中，三极管是以二极管原理来判断的。

1、三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中：Uec=Ec-βibRc-（β+1）ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。NPN管和PNP管算法一样，只是Ec和ib用负值代入。

2、三极管放大与饱和，特征是基极对发射极为正偏，饱和时，CE间电压较为接近，一般在0.5V以下；放大时CE间电压大约在1/2电源电压左右。三极管的截止特征：基极对发射极反偏，CE间电压接近（或等于）电源电压。

3、当然不行，导通的关键是发射结正偏和集电结反偏，这个条件满足后，CE之间的值会自动调整的，一般0.7V不够，要1V以上，放大状态才好。0.7V的话，过动态信号，不小心就饱和失真了。

4、NPN三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中： Uec=Ec-βibRc-（β+1）ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。

1、Ube是BE极间电压、Ubc是BC极间电压，Uceo是CE极间饱和电压，不用算，由器件DATASHEET给出，是本身的特性。

2、Uceo是穿透电压，与导通状态下的Uce不一样。这个穿透电压在制作的时候就已经测好了，看晶体管的参数时都会有这个参数值。当三极管的基极开路的时候，加在三极管上的反向电压超过Uceo这个值时，三极管损坏。一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。

3、加在集电极c和发射极e之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uceo，加在集电极c和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Ucbo，加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。

4、Uceo是指三极管的击穿电压，它是在规定的Ice下测到的Uce。

5、uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。

所谓的导通就是指三极管的CE之间有较明显的电流（不是漏电流）通过。本文将探讨三极管的导通状态及其影响，帮助读者更好地了解三极管的工作原理。导通状态当三极管处于放大状态时，Uce的数值是比较大的，而在饱和状态下，这个值大概只有0.3-1V作用的样子。

当be、ce两个P-N结都是正偏时，三极管饱和导通。导通后c、e极间的电压Uce比P-N结的导通电压低。硅管约0.3V，锗管约0.1V左右。在光耦中，三极管只要有基极电流，就有可能导通。看三极管集电极所接的电阻大小，在电阻比较大时，只要比较小的基极电流就可能使三极管导通。

其实还有第四个，击穿区，不过那会儿三极管已经可能烧坏了），饱和、放大和截止，所谓开关，就是三极管工作在饱和或截止区。饱和时三极管的CE之间有较大电流通过，相当于导通，截止时三极管CE之间几乎没有电流，可视作截止。三极管要导通，最关键的条件是其发射结（BE）正偏，有电流通过。

是一个PNP型的三极管，C端接地，B端由单片机控制，E端通过FM接VCC。根据箭头的方向，E端高电压的时候，当B端也是高电压，那么E和C之间是断开的，当B端是低电压，那么E和C直接导通，实现开关的作用。简单的技巧：三极管上箭头所在方向的二极管，只要二极管正向导通，那么三极管上下就能导通。

那么，CE的电流：Ice=hfe*Ib=40*0.09417=77（mA），CE的电压：Vce=Vcc-Ice*Rc=（12-77*2K）=47（V）。

三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。

实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。