关断电压的定义（关断过电压）
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什么是硬关断和硬开通,什么是软关断和软开通?
软开通、硬开通亦然，不过一般是指电压信号的。即IGBT的C、E电压为零时开通，同样是为了减少开关损耗。
所谓硬开关，通电后电压立刻输出，软开关则是通电后电压缓慢上升输出。硬开关是指在固有的周期下进行开关，而软开关则不同，是利用了振荡作用，在电压和电流为零时使开关管打开和关闭，这样大大减少了在开关管上的损耗，提高了效率。
软开关是电器回路中用于连通和切断负载的一种方式和装置，这种方式系指负载的切断和接通不是瞬间突然地完成，而是逐渐地由小到大完成接通过程，逐渐地由大到小完成切断过程。现实中的软开关可见于照明回路，对于一盏灯开启时由不亮到微亮再到全亮逐渐地缓慢地完成，关闭过程则相反。
在电工术语里面应该硬开关和软开关。硬开关是指断路器、开关（包括空开）、继电器等机械式的开关。而软开关则是指由晶闸管组成的电子开关电路。硬开关：开关损耗大。开通时，开关器件的电流上升和电压下降同时进行；关断时，电压上升和电流下降同时进行。
根据查询一起装修网显示：硬开关是指在固有的周期下进行开关，容性开通电流尖峰大，当开关器件在很高的电压下开通时，储存在开关器件结电容中的能量将以电流形式全部耗散在该器件内，频率愈高，开通电流尖峰愈大，从而引起器件过热损坏。
软开关是相对硬开关（Hard-Switching）而言的。软开关是使用软开关技术的开关过程。理想的软开关过程是电流或电压先降到零，电压或电流再缓慢上升到断态值，所以开关损耗近似为零。软开关能够实现功率变换器件的高频化。
蓄电池过放电保护的关断恢复电压。
蓄电池的过放电保护电压（lvd）。蓄电池得过放电保护电压也叫欠压断开或欠压关断电压，一般可根据需要及蓄电池类型的不同，设定在 8～14V（12V系统）、26～28V（24V 系统）和 42～46V（48V 系统）之间，典型值分别为11V、22V和44V。
过放恢复电压只的是：当蓄电池过分发电后，需要的浮点充电电压，入你上面所说，需要将蓄电池充电到16V后，才能恢复工作能力。过充恢复电压：指的是当过分充电后，蓄电池电压增高，需要进行放电处理，来保证学电池的使用寿命。
例如某种充电电池，规定放电时电压不得低于18V。硬是放电放到电压降到1V，断开（解除放电）后过几十分钟，电池电压恢复到15V，这个电压就是过放解除电压。
对于12V的免维护铅酸蓄电池太阳能充电的参数：过充保护：14V，恢复充电电压：15V 过放保护：13V，恢复放电电压：13V 恒压：15V （理士免维护铅酸蓄电池）根据不同的电压参数是会变化的，还望参考。
蓄电池过放电保护的关断恢复电压（ LVR ）一般设定为：11~16V（12V 系统）、22~22V （24V系统）和 44~50.4V（48V 系统）之间，典型值分别为14V 、28V和46V 。
这个问题不知道你是想问什么，如果单纯问极限电压的话，那就是0V。放到没电为止，就是了。如果是UPS的话，是5V。默认的是5V。
请问TVS放电管中断态电压、转折电压什么意思?谢谢!
1、断态电压---称呼应该是反向关断电压，专业称为反向转折电压，也可说是可承受的反向电压。转折电压---楼主应该问的是击穿电压，也是反向崩溃电压。TVS 的特性参数定义：①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。
2、VT：通态压降 VDRM：断态电压 VS：转折电压 IDRM：断态电压下流过的最大泄漏电流 IH：维持电流 IS：最大转换电流 当外加电压低于VDRM时，漏电流很小，处于断开状态。不影响被保护组件的正常工作。当外加电压大于VS时，半导体放电管很快进入导通状态，压降很小，起到了保护作用。
3、晶闸管的主要参数包括正向转折电压、反向转折电压、正向电流、维持电流、断态电压临界上升率、通态电压临界上升率、通态平均电流、通态不重复浪涌电流、反向峰值电流、反向不重复浪涌电流、通态浪涌电流、反向浪涌电压、动态dv/dt耐量、通态电压、通态电阻、维持电压、断态重复峰值电压和反向重复峰值电压。
4、断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压.国标规定重复频率为50H，每次持续时间不超高10ms。规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo，所留裕量大小由生产厂家自行规定。
5、TSS是简称，是半导体放电管。半导体放电管（固态放电管）是一种PNPN组件，它中以被看作一个无门电极的自由电压控制的可控硅，当电压超过它的断态峰值电压（或称雪崩电压）时，半导体放电会将瞬态电压箝制到组件的开关电压（或称转折电压）值之内。
什么是阈值电压和关断电压?
阈值电压是指在半导体器件的传输特性曲线中，输出电流随输入电压改变而发生急剧变化转折区的中点对应的输入电压。被视为半导体器件正常工作所需的关键参数之一。当输入电压超过或达到阈值电压时，设备开始响应并产生可观测和可控制的输出。
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
深入探讨：AO3401AMOS管的开关特性与电路设计/AO3401AMOS管作为电子元件中的关键开关管，其开启过程备受关注。
