ces电压（CES电压）
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IGBT管的参数
1、**集电极-发射极阻断电压（VCES）**：在栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。这一参数决定了IGBT在关断状态下能承受的最大电压，超出此值可能导致器件击穿。 **集电极-发射极饱和电压（VCEsat）**：在IGBT导通状态下，集电极与发射极之间的电压降。
2、IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 栅极发极间电压（符号：VGES ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。
3、如果H20R1353管的动作环境，也就是集电极发射极两端最大电压不超过1000伏（考虑到峰值电压，超过1000V就不要在替换了）可以使用FGA25N120替换。如果超过了，就不能替换。H20R1353的最大开关电压是1350V，FGA25N120的最大开路电压是1200V，其他的参数都可以兼容。
4、静态参数：饱和压降（VCEsat）1~3V，主极漏流（ICESS） 1~7mA，门槛电压（VGEth） 3~6V，门极漏流（VGESS）100~400nA，续流二极管压降（VF） 1~3V。动态参数：开启时间 （ton） 400nS，关断时间（toff） 400ns，。
5、FGA25N120是仙童公司的产品，是IGBT管，是一种复合管，封装形式TO-3P ，主要参数是1200V /25A ，内部包含续流二极管。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
美国ces展会怎么使用220v电器
1、解决办法就是，买一个可以在美国使用的转化插头带过去就可以了。展会有疑问，可以直接去非速搜展会网，那里也还可以订展，或者直接看我资料里的联系方式。
2、在电源性能方面，它支持220V、50/60HZ的电压频率，对于全球大部分地区都能适用。整机重量包括底座在内为31kg，如果不包含底座，则重量为27kg，尺寸方面，含底座的尺寸为1029×709×327mm，适合安装在各种室内空间。
为何三极管很少说起BE的耐压值?
1、区别是：电流放大器在放大电流时同时也有功率放大作用，电压放大器没有功率放大作用。
2、耐压指发射极和集电极所承受电压，电流指集电极、发射极允许的最大电流。
3、回答是肯定的，有耐压值。不过这只是衡量一颗三极管参数的指标之一。在实际运用当中，还要注意是用到什么电路上。如果使用到一些特殊的脉 开关电路上作为开关管使用，那么在耐压值的选取上就要特别注意了，它的耐压值的选取必须是实际工作电压的8至10倍，否则会击穿损坏。
4、是的，一般三极管都是B-E显示数值要大于B-C显示数值，这是对的，你说的那种B-C大于B-E的我还没见过。也不可能啊，有的话告我一声免得咱孤陋寡闻。楼上的 shanmiaodu，不要误导人家好吗？你说的是有这个道理我不反对，但是很容易把人家搞糊涂的。
如何确定三极管的工作状态
1、如果Vbe0.5V，则截止；如果Vbe0.7V，则饱和； 注意：判断三极管工作状态是根据其静态工作点来判断的。
2、正常电压偏置下，有：PNP：UeUbUc；特殊情况下（即饱和状态下）有UeUcUb，但是仍然满足 Ue-Ub=0.7v，为硅管；NPN：UcUbUe；特殊情况下（即饱和状态下）有UbUcUe，但是仍然满足 Ub-Ue=0.7v，亦为硅管；是锗管的题目会给出提示： Ub-Ue=|0.3v|。
3、在判断三极管的工作状态时，通常通过测量其集电极、发射极和基极之间的电压和电流来判断。例如，在放大状态下，基极电流和集电极电流成比例增加，而集电极和发射极之间的电压保持稳定。还可以通过观察电路中其他元件的变化来判断三极管的工作状态。
