阈值电压与夹断电压（阈值电压与夹断电压的关系）
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场效应管与三极管比较
1、区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
2、指代不同 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。场效应管：是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。原理不同 三极管：把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
3、场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。
4、场效应管：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小。三极管：晶体三极管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5、三极管作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器；很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换；场效应管可以用作可变电阻；场效应管可以方便地用作恒流源；场效应管可以用作电子开关。
6、三极管，全称为“半导体三极管”，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。场效应管，全称为“场效应晶体管”，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
N沟道增强型半导体场效应三极管工作原理
1、N沟道增强型半导体场效应三极管的工作原理涉及N型和P型半导体的相互作用。N型区的电子多于空穴，而P型区则相反。当两种区域接触时，电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散，形成耗尽层，由于耗尽层电阻高，阻止了源极和漏极之间的导通。
2、N沟道增强型半导体场效应三极管（MOSFET）的工作原理主要基于栅源电压（VGG）和漏源电压（VDD）对导电沟道的形成和控制。首先，N型区的电子和P型区的空穴在交界处通过扩散作用形成耗尽层，当VGG达到阈值电压VTH时，电子和空穴之间的扩散平衡被打破，形成导电沟道。
3、MOS管的工作原理（以N沟道增强型MOS场效应管）它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
NMOS管的工作状态主要分为几类?
NMOS管的工作状态主要分为以下几类：截止状态： 当NMOS管的栅极电压低于阈值电压时，NMOS管处于截止状态。在此状态下，栅极和漏极之间的通道断开，导致漏极和源极之间没有电流流动。
截止状态：当VGS小于等于零或者接近零时，栅极和衬底之间的电场不足以排斥P型衬底中的空穴，也无法吸引N型半导体中的电子，因此导电沟道消失，电子无法从源极流向漏极，NMOS管进入截止状态。阈值电压：当VGS增大到一定值时，会形成导电沟道，这个值被称为阈值电压（Vth）。
该管具具体工作原理如下：基本结构：NMOS管由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）三部分组成。其中，金属部分用作栅极（Gate），氧化物部分用作绝缘层（GateOxide），半导体部分则用作沟道（Channel）和源漏极（SourceDrain）。
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
MOS管工作原理简单讲解：MOS管通过栅极电压VGS控制感应电荷，调整导电沟道状态，进而控制漏极电流。主要分为N沟道和P沟道两种，增强型的NMOS（N沟道）和PMOS（P沟道）是实际应用中最常见的类型。识别MOS管三个电极：栅极G（单边引线）、源极S（两线相交）、漏极D（同一边不相交）。
功率场效应晶体管特性
1、功率场效应晶体管，作为一种电压控制器件，其特性在工业应用中发挥着重要作用。以VMOS场效应晶体管为例，它采用V沟槽工艺，栅极呈V型，具有短沟道、高耐压、优良的线性特性及快速的开关速度，使其在功率领域广泛应用。近期，TMOS管作为VMOS的升级版，去除了V形槽，仅保留短导通沟槽，进一步提升了性能。
2、在过载能力方面，功率场效应晶体管表现出色，短时过载能力通常可达额定值的4倍，具有出色的抗负载冲击性能。
3、功率场效应晶体管是一种利用半导体场效应原理制造的功率晶体管，其元件符号如图1所示，G、D、S分别代表栅极、漏极和源极。
4、VDMOSFET（垂直双极型金属-氧化物-半导体场效应晶体管）结合了双极型晶体管和传统MOSFET的优点。与双极型晶体管相比，VDMOSFET具有更高的开关速度和更低的开关损耗，更高的输入阻抗和更小的驱动功率，以及更好的频率特性。其线性跨导特性也非常好。
电路大师课系列-模拟集成电路设计第六讲:EKV模型(上)
1、在UCLA的知名课程EE215A中，电路设计大师Behzad Razavi和Asad Abidi教授轮流授课，他们深入浅出地讲解了传输函数、零极点等基础概念。第六讲特别聚焦于模拟电路设计的核心工具——EKV模型，它是电路设计者手中的导航灯。
