mos管vgd电压（mos管vgsth）

频道：其他日期：2024-11-27 18:57:01 浏览：50

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增强型NMOS管的转移特性：在一定VDS下，栅-源电压VGS与漏极电流iD之间的关系：IDO是VGS=2VT时的漏极电流。（2）输出特性（漏极特性）表示漏极电流iD漏-源电压VDS之间的关系：。与三极管的特性相似，也可分为3个区：可变电阻区，放大区（恒流区、饱和区），截止区（夹断区）。

由图可见，和二极管的伏安特性一样，三极管的输入特性也有一段死区，只有当UBE大于死区电压时，三极管才会出现基极电流IB。通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。在正常工作情况下，NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V，PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V。

放大区就不用说了，和你的理解一样基本上是线性区，基极电流增加的幅度与集电极电流增加的幅度成比例。饱和区的理解和你不同：由于集电极电阻的加入使得放大区被限制了动态范围，一旦集电极电流增加太多的话，RC上面的压降接近VCC时三极管就接近饱和区了，因为VCC=VCE+ICRC。

晶体三极管有三个工作区，即放大区、截止区、饱和区。

mos管vgd电压（mos管vgsth）

输出特性曲线描绘的是固定栅源电压VGS（大于阈值电压Vth）时，NMOS管的源漏电流IDS随栅漏电压VDS变化的关系。阈值电压Vth定义为当半导体层处于临界反型状态时，施加于MOS管栅电容两端的电压值。输出电流电压关系表达式描述了电流与电压之间的数学关系。

例如，图1展示了NMOS晶体管的I-V特性曲线，当漏极和源极有电流注入，栅极和基底保持0电位时，这种击穿被称为二次击穿，以区别于低电流注入时发生的雪崩击穿现象。

坐标轴不还，所有曲线与原点对称（举个例子：增强型N-MOSFET的输出特性曲线记得吧，就这个图，分布在第一象限，现在全部关于原点对称，放到第三象限里去，这个就是同参数，增强型P-MOSFET的输出特性曲线了）三极管中其实也可以分析一下，NPN的输出特性曲线你应该也没问题吧，是这样的。

输出特性曲线描述电流与电压关系，受结温影响，数据手册通常列出两种温度下的特性曲线。根据输出特性曲线，取Uds特定点，通过作图法得到转移特性曲线，可以观察到Uds为特定值时，Id与Ugs的关系。MOS导通电阻随结温升高呈正温度系数变化，数据手册通常绘有当VGS=10V时，导通电阻随温度变化的曲线。

你应该站在中间那个门极想两边的源极和漏极看，以门极为中心，如果说Vgs大于开启电压时，形成沟道。那么根据CMOS管的对称性，如果加上Vgd是不是也应该是大于开启电压才能有导电沟道形成？所以，你看Vgd是啥？门极漏极之间的电压，也就是电势差。

还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。

当Vds增加到Vds=Vgs-Vp，即Vgd=Vgs -vDS=Vp（夹断电压）时，漏极附近的耗尽层即合拢，沟道宽度为0，这种状态称为预夹断。

导通损耗：当MOS管导通时，会存在一定的导通电阻，并且通过导通电阻的电流也会产生一定的功率损耗。这个损耗可以通过功率公式P=VI来计算，其中V是导通电阻上的电压，I是通过导通电阻的电流。当MOS管处于导通状态时，导通损耗主要来自于导通电阻的电流。

图3 MOS管导通曲线我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。

MOS管的损耗主要包括开关损耗和导通损耗。开关损耗主要发生在米勒平台阶段，与米勒平台的时间长度和Cgd的大小成正比。导通损耗则与Rds（on）和流过MOS管的电流成正比。在同步BUCK拓扑电路中，MOS管的开关损耗可以通过考虑导通和关断过程中的电压和电流变化来估算。

MOS管的损耗主要在两个方面，导通损耗，这个很好理解，就是本身内阻的损耗。开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。频率越高，开关的次数就越多，所以它的损耗就越高。

开关损耗。根据查询相关公开信息显示，开关损耗通常MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。MOS，是MOSFET的缩写，MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。

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