沟道电压（n沟道p沟道电流电压图怎么区分）

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N沟道的MOS管必须要12V电压才能充分导通吗?,就是想通态压降底一点,阻抗...

N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d一般RDS非常小，在导通时D与S电压几乎一样，G端电压比D端高出一个启动电压，实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

结型场效益管，通常导通，N沟道GS之间加小的反偏电压，P沟道GS之间加小的正偏电压，不允许有较大电流通过DS。不需要栅极（D）电流。结型场效应管的特性是当它们的栅极与源极之间没有电压差时，它是导通的。

为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

请问,N沟道MOS管,是不是只要Vgs电压达到要求,不管源极电位是多少都能...

1、端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

2、N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。

3、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

4、当谈论N沟道MOS和P沟道MOS这两种晶体管的区别时，它们的工作原理各有特点。N沟道MOS（NMOS）的主要特性在于，当栅极电压（Vgs）超过特定阈值，如4V或10V，且源极接地（Source Ground，低端驱动）时，它会开始导通。这种设计适用于那些需要从低电位控制电流流向高电位的场合。

5、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

场效应管N沟道和P沟道怎样区分

两者的导电类型不同2 p沟道场效应管的导电类型为p型半导体，n沟道场效应管的导电类型为n型半导体，因此其电极极性和电荷运动方向有所不同。3 在使用时，p沟道场效应管需要将门极接到负电压，才能够开启导通通道；而n沟道场效应管则需要将门极接到正电压。

场效应管N沟道和P沟道的区分在于阈值电压的正负性。阈值电压是场效应管导通的关键，阈值电压的正负性取决于沟道型（N沟道或P沟道）。

MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。

MOS管的电路符号中，G、D、S极的区分较为直观。G极通常为明显的控制极，一眼就能识别出来。在P沟道和N沟道的区分上，两根线相交的部分是S极，而单独引出的那根引脚则是D极。N沟道与P沟道的特征在于箭头的指向，箭头指向G极的MOS管为N沟道，而箭头背向G极的则是P沟道。

场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型...

1、P沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs（th）时，开启。这个Ugs（th）是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。

2、实际使用中不太关心什么增强型、耗尽型，可能是工艺已经不是瓶颈了，只需要关注具体参数。截止、导通规则理解正确。 需注意的是：N型管在导通后g电压要高于s电压某个范围以上才能维持饱和导通，这样损耗最小。这个压差对于小信号开关管一般是5V，功率管一般是5V， Vg-Vs5V。

3、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。

4、N沟道增强型。P沟道增强型。N沟道耗尽型。P沟道耗尽型。注：尽管MOS管被制作成四种类型。但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

5、其次，从所需电压的角度来看，增强型MOSFET需要正的栅极电压来开启，而耗尽型MOSFET则需要负的栅极电压来关闭。这也是两者在操作上的一个主要区别。举个例子来说明，我们可以把MOSFET想象成一个可以控制开关的阀门。增强型MOSFET就像是一个初始状态为关闭的阀门，需要我们用力去打开它。

沟道阈值电压和阈值电压的区别

阈值电压：若在一定的偏置电压下，沟道（反型层）内的载流子浓度与衬底载流子浓度相等，则认为此时的偏置电压为阈值电压。通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。

在MOS管中，阈值电压定义为背栅和源极连接形成沟道所需的栅极对源极的偏置电压。如果这个电压小于阈值电压，沟道无法形成，因此MOS管无法导通。而对于晶体管放大电路，偏置电压则是确保其在放大状态下的必要条件。直流偏置电压是指在基极-射极正偏和集电极-基极反偏的情况下，晶体管进入放大工作的电压设置。

场效应管N沟道和P沟道的区分在于阈值电压的正负性。阈值电压是场效应管导通的关键，阈值电压的正负性取决于沟道型（N沟道或P沟道）。

从物理角度看，阈值电压就像是沟道形成时的反型层电荷积累。在源极和漏极之间，原本阻隔的沟道在反型层的形成下，逐渐打开电流通道。随着反型程度的加深，电流逐渐增大，阈值电压的出现标志着这个过程的转折。

功率MOSFET的直流特性深受温度影响。以N沟道MOSFET为例，其关键参数如击穿电压BV、导通电阻Rdson、阈值电压Vth、反偏漏电流Ids和体二极管正向导通电压Vsd，均表现出显著的温度依赖性。BV，即漏源间体二极管在雪崩击穿时的电压，工业测试通常设定在栅极电压为0，漏源电流1mA或250uA时。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

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